1.伏达半导体启动北交所上市辅导 专注高性能充电芯片赛道
2.工程建设周期延长，长盈通IPO募投项目延期至2026年12月
3.迈为股份：为HBM国产化提供关键设备支持
1.伏达半导体启动北交所上市辅导 专注高性能充电芯片赛道
12月28日，中国证监会网站披露了国泰君安证券与海通证券关于伏达半导体（合肥）股份有限公司向不特定合格投资者公开发行股票并在北京证券交易所上市辅导备案的报告。
公开资料显示，伏达半导体成立于2016年，是一家专注于电源管理芯片及解决方案的高新技术企业。公司主要产品线覆盖无线充电管理芯片、有线充电管理芯片、无线充电模组及整机产品，广泛应用于智能手机、汽车电子、智能穿戴设备、手机配件等多个快速增长的市场领域。
作为国家级专精特新“小巨人”企业，伏达半导体始终将研发创新视为发展基石。截至报告期末，公司已累计获得94项专利，其中含金量最高的发明专利达88项，同时拥有32项集成电路布图设计专有权和14项计算机软件著作权。这一系列知识产权构成了公司在高性能电源管理领域的坚实技术壁垒。
凭借深厚的技术积累、优异的产品性能以及快速的市场响应能力，伏达半导体已成功打入全球主流消费电子与汽车供应链体系。
在消费电子领域，公司产品已直接或间接进入三星、小米、OPPO、联想等全球知名手机品牌商的供应链，应用于其主力手机机型及TWS耳机等产品。同时，公司也与贝尔金（Belkin）等国际一线手机配件厂商建立了稳固的合作关系，提供从芯片、模组到定制化充电解决方案的全方位服务。
在汽车电子这一新兴增长极，伏达半导体已与华阳集团、有感科技、立讯精密、腾龙股份等多家知名汽车一级供应商达成合作。其车规级充电产品已搭载于比亚迪、小米汽车、蔚来、小鹏、赛力斯、长城、吉利、奇瑞，以及本田、大众等国内外主流汽车品牌的多款车型中，展现出强大的市场渗透力与客户认可度。
根据备案报告，伏达半导体股权结构相对分散，任何单一股东持股比例均未超过30%，不存在单一股东能够对股东大会决议产生决定性影响的情形。因此，公司目前无控股股东及实际控制人。
2.工程建设周期延长，长盈通IPO募投项目延期至2026年12月
12月26日，长盈通发布公告，宣布将首次公开发行股票（IPO）募投项目“特种光纤光缆、光器件产能建设项目及研发中心建设项目”达到预定可使用状态的时间由2025年12月延期至2026年12月。本次延期未改变项目实施主体、投资规模及资金用途，不会对项目实施造成实质性影响。
回溯募集资金情况，根据中国证监会相关批复，长盈通于2022年12月完成IPO，公开发行2353.35万股，发行价格35.67元/股，募集资金总额8.39亿元，扣除各项发行费用后，净募集资金7.55亿元。
募投项目方面，“特种光纤光缆、光器件产能建设项目及研发中心建设项目”总投资4.4亿元，截至2025年11月30日，累计投入金额2.63亿元；另一项募集资金用途“补充流动资金”1亿元已全额投入，累计总投入3.63亿元。
对于本次延期原因，长盈通表示，项目工程建设过程中存在较多不可控因素，导致建设周期较原计划延长。目前项目已完成主体结构及幕墙装饰工程，尚处于内装装修和配套设施建设准备阶段。基于审慎性原则，公司结合项目实际进展、经营情况及宏观环境，决定将项目预定可使用状态时间延期至2026年12月31日。
3.迈为股份：为HBM国产化提供关键设备支持
12月27日，迈为股份在互动平台披露，公司长期看好高带宽存储器（HBM）工艺国产化前景，其高选择比刻蚀设备及混合键合设备已具备应用于DRAM（HBM核心组件）工艺的技术能力。
迈为股份在回应投资者提问时明确表示，公司高选择比刻蚀设备及混合键合设备可适配DRAM工艺环节，为HBM国产化提供关键设备支持。据公开数据，截至12月27日收盘，迈为股份股价报171.1元/股，当日下跌2.21%，成交额达16.5亿元，总市值478亿元，市盈率54.06倍，资金活跃度较高。
HBM作为AI芯片核心存储技术，其国产化需求随全球半导体产业链重构加速提升。迈为股份依托刻蚀、键合等核心设备技术积累，切入DRAM工艺环节，契合国产化替代趋势。
若HBM国产化进程加速，迈为股份有望通过设备供应切入存储芯片赛道，拓展光伏设备外的新增长极。但需关注技术验证周期及行业竞争加剧风险。
公司未披露具体产能规划，但强调将持续研发迭代设备性能，强化与下游客户技术协同，以巩固在先进封装领域的先发优势。
迈为股份此次表态，进一步凸显其在半导体设备领域的战略布局，后续技术落地进展值得持续关注。
