SK Hynix宣布，其位于韩国清州的新半导体工厂M15X将于2025年5月完成首个洁净室建设并启动试生产，计划于同年11月实现HBM3E及HBM4的量产。该工厂总投资超20万亿韩元，旨在缓解全球AI芯片供应短缺，并巩固SK Hynix在HBM（高带宽内存）领域的市场主导地位。
M15X工厂将分两阶段建设，首期工程包含两个洁净室。首个洁净室将于2025年5月竣工，试生产后约6个月进入量产阶段，预计每月生产约5万片12英寸DRAM晶圆。第二个洁净室计划于2025年底完工，工厂全面投产后（2027年中）月产能将达50万片，叠加现有产能后SK Hynix DRAM总产能将升至55万片/月。
工厂将同时生产当前主力产品HBM3E及下一代产品HBM4。其中，HBM4将于2025年2月全球率先量产，并应用于英伟达下一代AI加速器Rubin（2025年四季度发布）。此外，M15X还将引入10纳米级第六代（1c）DRAM生产线，为后续HBM4E（第七代HBM）的研发奠定基础。
全球AI产业竞争加剧，美国、中国、日本及欧洲国家累计投入数百万亿韩元争夺技术领导权。AI芯片需高性能GPU与低功耗HBM协同，但HBM供应严重不足。目前仅SK Hynix、三星电子及美国美光科技具备HBM3E及HBM4量产能力，产能扩张成为争夺市场份额的关键。
行业分析师指出，HBM市场已进入“稳定供应能力竞争”阶段，SK Hynix通过M15X工厂的投产及HBM4量产，有望在2025年巩固其全球第一地位。
