CAGR达34.5%!戴伟民回溯技术革新史,FD-SOI中的芯原力量

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9月25日,第十届上海FD-SOI论坛在上海开幕,芯原股份创始人、董事长兼总裁戴伟民博士作致辞讲话。

FD-SOI(Fully Depleted Silicon-on-Insulator),又称“全耗尽绝缘体上硅”,是一种先进的半导体制造工艺。该技术的发展可上溯至2001年加州大学伯克利分校胡正明教授(Chenming Hu)等多位学者的贡献,并在此后呈现浪潮式发展:2012年意法半导体(ST)推出28nm FD-SOI平台;2014年三星授权ST28nm FD-SOI工艺平台,并与芯原股份合作;2015年格罗方德推出22nm FD-SOI 代工平台;2022年格罗方德与意法半导体投资12nm FD-SOI 技术研发;2024年法国原子能委员会电子与信息技术实验室(CEA-Leti)宣布推出 FAMES 试点产线,开发包括10nm和7nm FD-SOI 在内的新技术......

戴伟民博士在致辞中回顾了FD-SOI技术的多个里程碑事件,以及芯原股份作为技术见证者连续多年举办FD-SOI论坛的产业视角。其指出,随着全球对低功耗、高性能芯片需求的不断增长,FD-SOI 技术有望在多个领域发挥关键作用。而FD-SOI市场规模预计也将从2022年的9.3亿美元增长至2027年的40.9亿美元,CAGR达34.5%!

戴伟民博士认为,未来的半导体技术发展将采用“两条腿走路”的策略。FD-SOI专注于物联网、自动驾驶、5G、毫米波雷达等低功耗场景,FinFET则聚焦云计算、AI、高性能服务器等高算力领域,两种技术“互补共存”,共同推动半导体产业发展。

事实上,在FD-SOI领域持续深耕,积累了丰富的产业实践经验的芯原股份,亦交出了相当亮眼的“FD-SOI贡献”:芯原股份目前已拥有基于GF 22FDX工艺的60多个模拟和数模混合IP核,包括基础IP、DAC IP、接口协议IP等。上述IP核已授权45家客户,并完成43个芯片设计项目(33个项目进入量产阶段)。尤其RF IP领域,芯原股份拥有包括BLE、BTDM、Wi-Fi 6、802.11ah、802.15.4g、Cat-1、NB-IoT、GNSS等在内的产品线和解决方案。

此外,基于22nm FD-SOI一站式设计服务(Turnkey Service),芯原股份围绕该技术累计出货超1亿颗芯片!更直观的表现是,与 28nm 批量生产相比,功耗降低55%,采用该技术的2AA 电池续航长达2年,还推出全球首款 32 位 Cortex-M 系列 22nm MCU,提供完整的 MCU软件 SDK。

面对FD-SOI在半导体产业发展中拥有巨大的市场潜力,IBS首席执行官Handel Jones就在《边缘AI与FD-SOI技术的机遇分析》主旨演讲中指出,FD-SOI的高增长得益于其在众多应用中所具备的卓越技术,至少包括22nm FD-SOI是格罗方德在MCU及其他应用领域的关键技术,意法半导体正在扩大FD-SOI产量,并拥有18nm的新技术,诸多公司推广该技术已逾15年,目前该技术发展态势非常良好。

Handel Jones表示,中国企业也在积极跟进FD-SOI技术,其中芯原股份已在FD-SOI领域完成多项28nm和22nm设计,拥有广泛的知识产权组合。

责编: 姜羽桐
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