12月27日，迈为股份在互动平台披露，公司长期看好高带宽存储器（HBM）工艺国产化前景，其高选择比刻蚀设备及混合键合设备已具备应用于DRAM（HBM核心组件）工艺的技术能力。
迈为股份在回应投资者提问时明确表示，公司高选择比刻蚀设备及混合键合设备可适配DRAM工艺环节，为HBM国产化提供关键设备支持。据公开数据，截至12月27日收盘，迈为股份股价报171.1元/股，当日下跌2.21%，成交额达16.5亿元，总市值478亿元，市盈率54.06倍，资金活跃度较高。
HBM作为AI芯片核心存储技术，其国产化需求随全球半导体产业链重构加速提升。迈为股份依托刻蚀、键合等核心设备技术积累，切入DRAM工艺环节，契合国产化替代趋势。
若HBM国产化进程加速，迈为股份有望通过设备供应切入存储芯片赛道，拓展光伏设备外的新增长极。但需关注技术验证周期及行业竞争加剧风险。
公司未披露具体产能规划，但强调将持续研发迭代设备性能，强化与下游客户技术协同，以巩固在先进封装领域的先发优势。
迈为股份此次表态，进一步凸显其在半导体设备领域的战略布局，后续技术落地进展值得持续关注。
