天眼查显示，武汉新芯集成电路制造有限公司“半导体测试结构及半导体测试方法”专利公布，申请公布日为2024年3月26日，申请公布号为CN117766517A。
本发明提供一种半导体测试结构及半导体测试方法，半导体测试结构包括：衬底、栅氧层和栅极层；浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构所包围的所述衬底为有源区，所述栅氧层和所述栅极层自下向上形成于部分所述有源区上，所述有源区的面积与所述栅极层的面积之比大于2。本发明的技术方案使得对栅氧层的寿命推测的更加准确。
武汉新芯“半导体测试结构及半导体测试方法”专利公布
来源：爱集微
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