随着中国宣布计划于今年下半年实现300层以上超高层NAND闪存的量产，中韩两国在该领域的技术差距正迅速收窄。
NAND闪存与DRAM并称为韩国存储半导体产业的两大支柱，是一种可存储大量信息的非易失性存储器，其性能随堆叠层数的增加而提升。此前，三星电子、SK海力士等韩国企业与中方企业之间保持着至少一年的技术差距，但业内危机感正不断加剧——这一差距有望在今年内被追平。
尤其值得关注的是，中国存储企业正通过布局面向“物理人工智能”的专用存储技术，对韩国半导体产业构成实质性威胁。
据台媒及半导体行业消息人士3月27日透露，中国最大的存储芯片企业长江存储计划于今年下半年启动超高层NAND产品“X5-9080”的量产，该产品堆叠层数超过300层。目前，SK海力士正在量产321层NAND产品，三星电子则主要生产286层产品。从堆叠层数来看，中韩两国之间的技术差距已基本消失。
本月初，长江存储已推出搭载294层NAND的消费级固态硬盘“PC550”。半导体行业相关人士表示，在美国严苛制裁背景下，长江存储凭借其自主研发的“Xtacking”堆叠技术不断取得突破，这无疑对三星电子、SK海力士等NAND市场传统强者构成威胁。
与此同时，长江存储还将其位于武汉的NAND生产基地投产时间从明年上半年提前至今年下半年。公司计划借此将全球NAND市场份额从目前的10%提升至年底的16%。此外，长江存储还在考虑年内于中国股市上市，其企业估值预计将大幅超过400亿美元。
在物理AI领域，其他中国存储企业也在加紧推出面向该领域的先进NAND解决方案。深圳存储解决方案企业朗科科技在本月于德国举行的“Embedded World 2026”展会上，推出了面向人形机器人的“mSSD”产品。该产品将控制器与NAND集成于单芯片封装中，体积较现有产品缩小60%以上，适用于人形机器人及各类AI设备。
江波龙电子则在西班牙举行的“2026世界移动通信大会”上展示了AI工业级固态硬盘“AP系列”。该产品采用先进技术，即使在不稳定的电源供应环境下，也能有效防止存储数据损坏，适用于移动机器人及严苛的自动化产线场景。
