三星电子确认正在开发其第八代高带宽内存HBM5，该内存采用2nm工艺制造，应用于基础芯片。对于第九代 HBM5E，该公司计划在核心芯片上预先应用基于1d（第七代10nm级）工艺的DRAM。
此外，英伟达的新型人工智能（AI）推理专用芯片Groq 3 LPU（语言处理单元）已委托三星晶圆代工，并采用4nm工艺生产。三星晶圆代工事业部总裁兼三星晶圆代工负责人Han Jin-man对稳定的供货充满信心，并表示：“我们的4nm工艺技术绝不逊色。”
三星电子半导体解决方案（DS）事业部存储器开发执行副总裁Hwang Sang-joon和总裁Han Jin-man于3月16日（当地时间）在美国加州圣何塞举行的GTC 2026大会上，在三星电子展位上发表了上述讲话。
三星电子半导体事业部的关键高管亲临由英伟达主办的GTC大会现场，讲解产品并参与公开活动，实属罕见。
首先，在谈到关于下一代HBM所采用的工艺技术的问题时，Hwang Sang-joon执行副总裁表示：“HBM5的核心芯片采用1c（第六代10nm级）工艺，但基础芯片则采用三星晶圆代工的2nm工艺开发。”
三星计划沿用第六代HBM4所采用的1c工艺，同时将更先进的2nm工艺应用于基础芯片。
此前，三星电子抢先将领先于竞争对手的1c DRAM应用于HBM4核心芯片，并采用三星晶圆代工的4nm工艺制造基片。基于此，该公司稳定实现了业界领先的性能，并于2月率先向英伟达供货HBM4。
Hwang Sang-joon执行副总裁表示：“对于HBM5E，核心芯片将采用1d nm工艺，基片将采用三星晶圆代工的2nm工艺。”他补充道：“由于半导体性能将不断提升，我们将继续把领先的工艺应用于HBM5和HBM5E。”
总裁Han Jin-man自2024年以来首次出席GTC大会，并在三星电子展位亲自介绍了公司的晶圆代工技术。
他重点介绍了“Groq 3 LPU”，这款产品在英伟达CEO黄仁勋于当天GTC 2026主题演讲中提到“三星电子正在生产”后，引起了广泛关注。
Han Jin-man表示：“我们目前正在平泽工厂使用4nm工艺生产Groq 3 LPU。”他还补充道：“今年的订单量超出预期。”
他继续说道：“三星的HBM4基础芯片也是采用4nm工艺制造的，所以我认为未来对4nm工艺的需求将会显著增长。”
关于英伟达委托三星晶圆代工生产Groq 3 LPU的背景，Han Jin-man表示：“早在2023年，也就是英伟达收购Groq之前，我们和Groq就已经开始合作。我们的工程师直接参与了项目，甚至协助了设计工作。”
他强调：“英伟达和Groq开始合作时，我们曾担心他们会选择不同的代工厂，但他们肯定评估过我们芯片的性能，并认为其潜力巨大。我们的4nm工艺绝不逊色。”
当被问及Groq 3 LPU何时开始贡献收益时，他回答说：“量产将于第三季度末或第四季度初开始。我们需要观察市场反应，但我相信明年对Groq 3 LPU的需求将大幅增长。”
与此同时，当天，Han Jin-man和Hwang Sang-joon在GTC会场与黄仁勋合影留念。在合影中，黄仁勋在Groq 3 LPU晶圆上亲笔签名并写上“GROQ SUPER FAST”，在HBM4晶圆上写下“AMAGING HBM4!”。这两款产品均由三星代工。（校对/赵月）
