人工智能正以前所未有的力量重塑全球半导体产业格局，而内存市场正处于这场变革的风暴眼。从HBM的竞赛到通用DRAM的短缺，一场由AI/数据中心需求主导、供给端持续紧绷的“超级周期”正以前所未有的强度和确定性展开。未来一年的市场轨迹、价格走势与产业赢家，已成为全球科技与资本关注的焦点。
爱集微VIP频道近日上线大和资本发布的报告《2026年全球内存市场展望》。本报告以详实的数据与清晰的逻辑指出：2026年将是内存超级周期的延续与深化之年，行业盈利有望迎来爆发式增长，并系统性地揭示了各细分市场的增长逻辑、核心厂商的机遇与潜在风险，为理解这一轮产业浪潮提供了全景式指南。
核心发现：需求爆发、供给约束与明确的企业赛道
一、整体市场趋势：量价齐升，超级周期贯穿2026
报告预测，在AI/数据中心需求的强力驱动与通用内存供给约束的双重作用下，2026年内存市场将持续繁荣。
市场规模激增：预计2026年DRAM市场规模将达到2750亿美元，同比增长94%；NAND市场规模同比增长102%。
价格强势上行：通用内存价格上涨趋势将贯穿2026年，其中2025年四季度服务器DRAM平均售价（ASP）环比涨幅将超 50%，NAND价格则从2025年三季度起进入上升通道，2026年一季度供给进一步收紧将推动价格加速上涨。
二、细分市场亮点：HBM领跑，服务器与NAND供需紧平衡
HBM市场：持续高增长，技术代际迁移启动
受ASIC人工智能芯片规格升级驱动，2026年HBM市场规模将达591亿美元，同比增长49%，位元出货量增42%。
2026年下半年将开启向HBM4的迁移，由英伟达Rubin GPU平台引领。三星有望凭借先进技术重获份额，缩小与领头羊SK海力士的差距。
服务器与数据中心：需求引擎全速运转
四大云服务提供商（亚马逊、谷歌等）2025年资本开支同比增长54%，且增速仍在加快，强力拉动服务器DRAM与存储需求。
AI服务器CPU对LPDDR5的广泛采用导致移动DRAM供应短缺，进而传导至全品类内存价格的反弹。
NAND市场：供给策略保守，短缺支撑价格
2026年第一季度NAND行业库存将进一步收紧，供给短缺加剧。
强劲的数据中心存储需求与HDD供应不足带来的替代需求，共同支撑NAND价格持续上涨。
主要厂商资本开支聚焦HBM与DRAM，对NAND投资保持保守策略，进一步限制供给增长。
产业前瞻与审慎观察
报告重申对三星电子、SK海力士、美光科技、铠侠、南亚科技的 “买入” 评级，并大幅上调多家目标价，凸显对行业盈利弹性的强烈信心。
报告亦清醒地指出了三大核心下行风险：1）数据中心电力基础设施扩建延迟（周期超4年）；2）IT企业融资问题可能引发的泡沫破裂；3）内存价格持续大涨导致终端设备BOM成本压力，抑制智能手机、PC等需求。
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