近日网传三星电子计划对 HBM、DDR5/4 等 DRAM 产品及部分 NAND 闪存全面涨价，最高涨幅达 80%。据悉，此次涨价覆盖HBM、DDR5、DDR4等通用DRAM产品及部分NAND闪存产品。
据报道，三星方面针对此事回应称，相关市场传言不实，公司并未对所有存储产品全面涨价80%。当前 AI 数据中心需求爆发推高存储市场供需失衡，多家厂商预测缺货状态将持续至 2027-2028 年，供应链陷入无货可买的困境，带动市场价格持续走高。
据行业数据，服务器专用 64GB RDIMM 内存模块现货价已涨至 2550 美元，近半月涨幅超 20%，原厂报价或逼近 1000 美元，单季涨幅预计达 90%-100%；该产品 2025 年四季度合约价仅 450-460 美元，业界原预计 2026 年一季度涨至 800-900 美元，现价格或突破千元、单季翻倍。NAND 闪存端，企业级服务器需求推高产能压力，有厂商拟斥资上亿美元与闪迪签订预付现金长期供货协议，双方仍协商价格与供货量；预计晶圆级闪存价格预计涨 30%-50%，订单满足率不足 50%。
业界判断，2026 年一季度存储合约价将跳涨，二季度涨幅趋缓；其中 DRAM 内存预计涨 20%-30%，固态硬盘涨幅将延续 30%-50% 的态势。
