12月30日，上海证券交易所正式受理了长鑫科技集团股份有限公司（简称“长鑫科技”）的科创板上市申请。作为我国规模最大、技术最先进、布局最全的DRAM（动态随机存取存储器）研发设计制造一体化企业，长鑫科技此次IPO拟募集资金高达295亿元，主要用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目，以及动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目，标志着国产DRAM产业发展进入新的关键阶段。
自2016年成立以来，长鑫科技始终专注于DRAM产品的研发、设计、生产与销售。公司于2019年推出首款自主设计生产的8Gb DDR4产品，实现了中国大陆DRAM产业“从零到一”的历史性突破。通过采取“跳代研发”策略，公司已成功完成四代工艺技术平台量产，产品覆盖DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X等多个代次，核心技术与产品达到国际先进水平。
根据行业分析机构Omdia的数据，按出货量统计，长鑫科技已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商，在全球由三星、SK海力士、美光三大巨头主导的市场中，稳步提升份额与影响力。
目前，长鑫科技在合肥、北京两地拥有3座12英寸DRAM晶圆厂，产能规模位居中国第一。公司高度重视研发创新，截至2025年6月30日，已在全球范围内拥有超过5500项专利，其中境内发明专利2348项。根据世界知识产权组织数据，公司2023年国际专利申请公开数量位列全球第22位，展现出强劲的技术创新实力。
在产业链协同方面，公司已与阿里云、字节跳动、腾讯、小米、荣耀、OPPO、vivo等众多行业头部客户建立深度合作，并积极联动半导体设备、材料、设计及模组等上下游企业，共同推动国产DRAM产业生态的完善与安全可控。
本次IPO募集资金将重点投向制造技术升级、DRAM技术迭代及前沿技术研发等领域。长鑫科技表示，这些项目与公司未来发展战略高度契合，是提升工艺水平、加快产能建设、巩固技术优势的重要举措。
面向未来，公司将继续秉持“以存储科技赋能信息社会”的使命，立足国内市场、拓展海外布局，加速提升在中高端应用市场的占有率，深化产业链协同，持续推进工艺技术创新，致力于成为技术领先与商业成功的全球半导体存储企业，为中国乃至全球数字化发展提供坚实的存储基石。
