2025年12月20日，由半导体投资联盟和集成电路投资创新联盟主办、ICT知识产权发展联盟协办、爱集微承办的“2026半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼”在上海前滩华尔道夫酒店圆满举行。本届年会以“AI赋能・共筑未来——技术创新与产业融合之路”为主题，聚焦人工智能与大模型在半导体产业中的深度融合与落地实践。
合肥安德科铭半导体科技有限公司 （以下简称：安德科铭）荣获“年度技术突破奖”。该奖项旨在表彰2025年度于前沿技术领域开展原始性重大技术创新，达到国际先进/领先水平，未来或产生重大经济社会效益，对于推动我国集成电路产业链自主安全可控发展发挥重大作用的企业。
合肥安德科铭半导体科技有限公司成立于2018年，是一家国家级专精特新“小巨人”及高新技术企业。该公司专注于半导体制造关键环节所需的先进电子级薄膜（ALD/CVD）前驱体材料的研发、生产与销售，在合肥、铜陵、上海、武汉形成“总部+基地+区域中心”的全国性布局。
安德科铭构建了从研发到产业化的全链条自主能力，铜陵基地高纯前驱体材料年产能达210吨。该公司研发人员占比约30%，团队汇聚了多名国家级及省级高层次人才，为其持续创新提供核心驱动。凭借持续的自主创新与国际视野，安德科铭业绩呈现爆发式增长，过去三年，安德科铭营业收入复合增长率超过100%。在2024年营收已现规模的基础上，2025年迎来爆发式增长，营收体量实现跨越式跃升，同比增幅极为显著，且增长动能持续强劲。
“年度技术突破奖”重点关注于前沿技术领域开展原始性重大技术创新。安德科铭获奖的核心在于三(N,N'-二异丙基甲脒基)镧/La(iPr-fmd)3，三（二甲胺基）环戊二烯基铪/CpHf两款高端前驱体材料成功打破国外垄断，并取得市场主导地位。
三(N,N'-二异丙基甲脒基)镧/La(iPr-fmd)3：高介电常数（High-K）镧基前驱体材料，是芯片制造原子层沉积（ALD）工艺中的关键材料。产品采用创新的替代锂盐工艺及结晶升华双联纯化技术，实现了金属纯度≥99.9999%、关键镧系金属杂质≤50ppb的极高标准，热稳定性达300℃，且拥有高反应活性，能够显著提升先进逻辑芯片栅介质层的性能以及器件耐久性。其性能经行业专家认定达世界先进水平，已荣获安徽省新产品、首批次新材料认证。该产品已通过国内最大的芯片代工厂、国内最主要的DRAM生产厂家等头部企业验证，成功实现对进口产品的全面替代，填补了国产高端前驱体材料空白。目前，安德科铭作为国内唯一实现该产品稳定供应企业，在国内市场占有率远超海外巨头。
三（二甲胺基）环戊二烯基铪/CpHf：高介电常数（High-K）铪基前驱体材料，应用于先进芯片的ALD工艺。通过创新的“一锅法”合成与“规整填料-双循环精馏”纯化技术，攻克了共生金属分离难题，产品金属纯度达6N，关键共生金属杂质≤50ppb，性能超越国际主流厂商。该产品具有高蒸气压与优异热稳定性，是DRAM等存储芯片实现高性能的关键材料。产品已通过国内最主要的DRAM制造厂商和沉积设备厂商验证，实现批量供应近一年，成为主要客户唯一国产供应商，为保障国内半导体产业链安全提供了可靠替代。
凭借领先的技术与市场地位，安德科铭已成为国产半导体前驱体材料领域的核心供应商。展望未来，该公司将继续深化技术创新与产能布局。其与日本三化研究所共同投资的10亿元“高纯前驱体及电子级溶剂项目” 已于合肥启动，计划2027年投产。该项目将极大扩充核心产品产能，完善产品体系，进一步巩固安德科铭在全球半导体材料市场的竞争力，持续推动中国半导体产业链的自主可控与安全稳定。
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