1.美光CEO：DRAM短缺将持续至2026年以后，客户签订多年期合同锁定产能
2.存储飙涨爆出“回扣”疑云！传三星已低调来台展开内部调查
3.三星电子向英伟达提供“第二代HBM”SOCAMM样品
4.台积电美国二厂2026年夏季设备进场，2027年实现3nm量产
5.李在镕即将回归，担任三星电子注册董事
6.中国台湾推出新一代芯片攻关计划，聚焦高速计算、先进制造等四大领域
1.美光CEO：DRAM短缺将持续至2026年以后，客户签订多年期合同锁定产能
美光科技在终止其Crucial（英睿达）消费者品牌后的首次财报电话会议中宣布了DRAM和NAND业务的创纪录营收。在2026财年第一季度财务状况的电话会议上，美光首席执行官、董事长兼总裁Sanjay Mehrotra重申了整个存储器行业一直在传达的信息——DRAM短缺将持续到2026年以后。
在第一财季，美光报告创纪录营收达136.4亿美元，同比增长近57%，同时实现了"显著的利润率扩张"。美光将这一增长归因于AI数据中心更高的定价和不断增长的需求。这种需求似乎并没有放缓的迹象。Sanjay Mehrotra重申，美光预计供应限制将“持续到2026年以后”，公司正在努力达成多年期供应承诺。
HBM（高带宽内存）也是一个重要的影响因素。 HBM所需的晶圆面积是DDR5的三倍，美光预计其HBM收入将实现“强劲增长”。该公司预测，到2028年，HBM的总潜在市场规模（TAM）将达到1000亿美元，规模将超过2024年整个DRAM市场。
尽管已经关闭了 Crucial品牌业务，美光仍持续为PC和手机供应DRAM，并且公司预计，即便在供应受限的情况下，PC出货量仍将继续增长。美光表示，尽管未来几年营收和制造产能有望扩大，但公司对无法满足所有细分市场的需求感到“失望”。
产能扩张目前正在推进中。美光正在美国爱达荷州建设两座晶圆厂，其中第一座预计将于2027年年中开始投产。同时，纽约州的晶圆厂项目也在按计划推进。美光称，预计将在2026年初动工，投产时间大约在2030年前后。
即便在产能扩张完成后，美光预计也只能满足其“关键客户”需求的“大约一半到三分之二”。美光CEO Mehrotra表示，客户对“长期获得内存供应”感到担忧，许多客户正通过签署多年期合同来锁定产能和供货。
DRAM短缺仍在推高DDR5的价格。大多数供应商认为，供需紧张至少会持续到明年，甚至可能更久。不过，也有部分厂商认为价格涨势将趋于平稳。GPU厂商蓝宝石（Sapphire）表示，DDR5价格将在未来6到8个月内趋于稳定，而金士顿（Kingston）则认为价格在未来仍将“持续上涨”。
2.存储飙涨爆出“回扣”疑云！传三星已低调来台展开内部调查
存储价格持续涨价，近期业界传出三星电子总部低调派遣多名调查人员来中国台湾，展开“内部调查”。调查重点锁定多名三星员工与代理商，涉嫌在存储相关产品上收受回扣，案件牵涉范围不仅限于中国台湾，亦延伸至新加坡与中国大陆。
据悉，在约谈多名相关人员后，三星已果断采取行动，行销与业务体系出现首波人事异动。对此三星表示，内部调查属于例行营运流程的一部分，不方便评论进一步细节。
近期全球存储市场面临涨价挑战，从固态硬碟（SSD）核心元件NAND Flash，到传统硬碟（HDD）等所有可用储存装置均受人工智能（AI）热潮冲击。特别是NAND Flash，价格今年涨幅惊人，且业界预估短缺现象一个月内恐更恶化。
金士顿资料中心SSD业务经理Cameron Crandall近期受访指出，今年NAND Flash价格暴涨246%，70%涨幅发生在最近60天内，多数价格上涨压力已迅速进入供应链。NAND Flash占传统SSD物料成本90%，价格剧烈变动直接牵动终端产品价格。
这波短缺何时结束？目前业界看法不一。Sapphire Technology公关经理Edward Crisler认为，PC玩家和潜在买家不应急于恐慌性抢购，目前及六个月内的痛苦可能不会持续太久。（来源： 科技新报）
3.三星电子向英伟达提供“第二代HBM”SOCAMM样品
三星电子已向英伟达提供了下一代DRAM模块SOCAMM第二代样品，该产品将应用于英伟达的下一代人工智能（AI）芯片Vera Rubin。为了在被称为“第二HBM”的SOCAMM市场上保持领先地位，三星电子计划及时建立批量生产体系。
SOCAMM是小型压缩附加内存模块的缩写，是一种紧凑型高性能内存模块，专为AI服务器优化。该模块结合了LPDDR5X内存的高带宽和高能效，并采用模块化插槽式设计。
12月18日，三星电子宣布：“我们已开发出基于LPDDR的服务器内存模块SOCAM2，专为AI数据中心设计，目前正在向客户提供样品。”
此处提及的客户指的是英伟达。英伟达高性能计算和人工智能基础设施解决方案总经理Dion Harris表示：“通过与三星电子持续的技术合作，我们正在不断优化下一代内存，使其能够实现人工智能基础设施所需的高响应速度和高效率。”此举正式确认了两家公司的合作。
SOCAMM是一种基于LPDDR DRAM的可拆卸DRAM模块，英伟达正在独立推动该标准，以期在人工智能内存半导体市场占据主导地位。由于它采用低功耗的LPDDR5X DRAM，而非基于DDR的服务器模块，因此与现有RDIMM相比，其带宽提升超过两倍，功耗降低超过55%。与上一代SOCAMM1相比，速度也提升了20%以上。
4.台积电美国二厂2026年夏季设备进场，2027年实现3nm量产
台积电（TSMC）计划于2026年夏季启动其位于美国亚利桑那州第二座芯片工厂的设备安装工作，目标在2027年实现3nm制程量产。
这些设备的安装将标志着这家全球最大的芯片代工制造商在海外先进芯片制造领域迈出了重要一步。多名消息人士透露，设备进场预计集中在明年7月至9月期间完成。
目前的进度安排符合台积电董事长兼首席执行官魏哲家推动将美国芯片生产至少提前“几个季度”的计划。其美国第二座工厂此前计划于2028年投产。
据报道，业内高管透露，芯片工厂的设备安装完毕后，需耗时长达一年完成生产线认证及产能爬坡，而更先进的制程（如3纳米）因涉及超千道工序，工艺转移与验证周期可能进一步延长。
台积电在亚利桑那州的首座尖端芯片厂已投入运营，目前为苹果公司代工部分芯片，并承接英伟达最新Blackwell人工智能芯片订单。该州项目总投资规模达1650亿美元，涵盖五座芯片制造厂、两座先进封装厂及一座研发中心。台积电预计，项目建成后，其约30%的尖端芯片将在美国本土生产。
北凤凰城区域因聚集多家关键供应商，正逐步形成台积电全球最先进的芯片生产集群。
美国市场对台积电的营收贡献率持续攀升。2024年第三季度，美国客户收入占比达76%，主要受人工智能需求激增驱动。台积电前十大尖端制程客户中，英伟达、苹果、AMD、英特尔及谷歌等美国企业占据主导地位。
与美国项目加速形成对比的是，台积电已暂停日本熊本第二座工厂的建设，转而评估未来需求并考虑在该国引入更先进制程。受消费电子、工业及汽车领域成熟制程芯片需求复苏缓慢影响，台积电同步放缓了日本工厂的设备安装及扩张计划。
5.李在镕即将回归，担任三星电子注册董事
三星电子会长李在镕重返注册董事之位似乎指日可待。此前，三星合规委员会主席李灿熙曾公开表示，委员会内部对李在镕回归的必要性已达成广泛共识。
12月16日，三星合规委员会举行例行会议。李灿熙表示：“委员会内部很多人都赞同（李在镕回归）。”
目前，李在镕是韩国四大财阀掌门人中唯一一位非注册董事。李在镕于2016年被任命为内部董事，但由于2016年爆发的“崔顺实事件”的影响，他在2019年任期结束后并未进行续任程序。商界人士认为，在全球危机复杂的背景下，李在镕重返注册董事岗位对于迅速果断地做出决策至关重要。三星合规委员会内部情绪的转变也被解读为与这种外部观点相符。
李在镕近期通过增持三星物产（三星集团治理结构顶端的公司）的股份，进一步巩固了其控制权。12月2日，他从母亲、前Leeum美术馆馆长洪罗喜手中获赠三星物产股份。三星物产持有包括三星电子（5%）、三星人寿（19.3%）和三星生物制剂（43.1%）在内的多家核心关联公司的股份，实际上扮演着控股公司的角色。分析人士认为，随着公司治理结构的日益完善，李在镕作为注册高管回归公司履行责任的理由也更加充分。
三星合规委员会主席李灿熙连任的可能性也被认为很高。他表示：“如果公司提出要求，我个人会考虑接受。”第四届合规委员会的任期从2026年2月开始，至2028年2月结束。如果李灿熙连任，他将从第二届到第四届共计六年领导三星的合规管理工作。从2025年12月开始，包括三星电子在内的七家关联公司的董事会将开始审议下一任主席的遴选议程。
6.中国台湾推出新一代芯片攻关计划，聚焦高速计算、先进制造等四大领域
为巩固在全球先进半导体制造领域的领先地位，中国台湾地区NSTC部门宣布启动一项为期五至十年的专项计划，聚焦高性能芯片关键技术及创新应用研发。该计划由中山大学王卓钦教授领衔，联合台湾大学陆梁鸿教授、阳明交通大学柯明道教授与何拓宏教授共同主持，明确四大核心研究方向：高效能高速计算芯片、高功率高传输电路与芯片模块、边缘计算芯片应用及先进芯片制造技术。
对于节能高速计算芯片，研究团队将重点开发硅基半导体芯片及逻辑与存储一体化系统，通过先进封装技术构建异质整合平台，以支撑高性能芯片系统的量产。针对资金与人力限制，NSTC要求项目末期需完成原型系统验证，其算力需超过每秒千万亿次运算（1 POPS），并支持参数规模超100亿的大型语言模型（LLM）的高维、超大规模计算需求。
高功率高传输电路与芯片模块项目旨在解决高性能计算（HPC）大数据应用中的连接与传输难题。研究将整合硅光子异质集成技术，结合高频高速电路创新设计，构建复杂通信系统，以提升数据传输效率与稳定性。
针对下一代智能感知需求，研究聚焦超低功耗、超低延迟的边缘计算芯片开发，重点突破关键芯片设计及异质软硬件整合技术。项目要求团队提出实际应用场景并完成原型验证，核心指标包括大幅降低计算功耗、提升传感器灵敏度、缩短感知延迟及优化整体能效。
面对传统摩尔定律因光刻波长、掩模尺寸及二维组件微观尺度限制而接近物理极限的挑战，英伟达提出的“超摩尔定律”（Hyper Moore’s Law）强调通过芯片设计、架构及制造工艺的革新，实现每年计算性能翻倍。为此，3D封装技术成为关键，其通过垂直堆叠多芯片提升密度、性能与功能。结合3D器件与3D封装的“3D×3D”技术，将推动晶体管结构从平面鳍式场效应晶体管（FinFET）向亚2纳米纳米片场效应晶体管（NSFET）及互补式场效应晶体管（CFET）升级，并引入背面供电设计，将性能、功耗与面积（PPA）等效指标每两年提升一倍。
