AMD正积极推进下一代Zen6架构产品的开发，包括消费级和数据中心产品。其中，CCD部分的工艺有两种可能，一是台积电N3 3nm级别，另一种是台积电N2 2nm级别。目前，Zen5家族的锐龙9000系列的IOD部分为台积电4nm，CCD部分则是6nm，后者完全延续了锐龙7000系列的设计。

然而，最新消息显示，AMD的下一代Zen6 IOD制造可能会切换到三星，采用4nm级别的工艺，即4LPP，或者叫SF4。尽管三星工艺在性能和能效上稍逊一筹，但IOD并不需要太先进的工艺，且功耗也不高。三星4LPP工艺已于2022年量产，相当成熟，这也意味着成本会相当低，且适合用于制造IOD。

资料显示，三星L4PP的晶体管密度为每平方毫米1.37亿个，基本和台积电N5相当，只比台积电N4P低大约5%，但高于Intel 4 11%之多，仍有一定竞争力。

利用更先进的制造工艺，AMD可以降低I/O芯片的TDP，加入新的电源管理解决方案。更为重要的是，新款IOD的主要需求是更新内存控制器，支持更高速率的DDR5，以及一些新的DIMM设计，比如CUDIMM内存模块。