北京铭镓半导体有限公司首次成功制备出4英寸氧化镓晶坯，这是全球首次。此次成功的氧化镓晶坯生长直径达4英寸、厚度达55毫米，加工后可用尺寸为3英寸、厚度高达40毫米。在同等工艺条件下，用氧化镓制造的器件芯片数量越多，单位器件芯片制造成本越低，氧化镓的性价比优势更加明显。
这一技术突破不仅优化了晶体生长环境，而且还有望制备出可用厚度大于40毫米的晶坯。这不仅是技术上的突破，更推动了行业的发展。大尺寸的氧化镓衬底能够有效降低生产成本，提高生产效率，加速氧化镓材料在各个领域的广泛应用。
作为第四代半导体材料，氧化镓的成本是第三代半导体材料碳化硅的三分之一左右，其基功率器件具备高耐压、低损耗等特点，由它制造出的产品在能源利用效率、续航表现等方面有了显著提升。比如，在新能源汽车领域，使用氧化镓器件的汽车一次充电续航里程要比使用传统硅器件的汽车提升10%至20%。
这一技术突破，有助于推动氧化镓向可产业化商用迈进，促进下游器件制造产业更快发展
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