在美国特拉华州举办四方领导人峰会之际，美国和印度加强了半导体合作，推出了一系列举措，包括建立半导体制造厂。
根据白宫9月21日发布的新闻稿，美国总统拜登和印度总理纳莫迪宣布了一项重要协议，即建立一家新的半导体制造厂，专注于先进的传感、通信和电力电子产品。这一举措旨在加强国家安全、下一代电信和绿色能源应用。
该工厂将生产红外线、氮化镓和碳化硅半导体，并得到印度半导体代表团以及Bharat Semi、3rdiTech公司和美国太空军的战略技术合作的支持。
在一份联合声明中，双方领导人赞扬了为建立弹性和安全的半导体供应链所做的努力，其中，印度建立的格芯加尔各答“全球能力中心”（Global Capability Centre）就是很好的例证。该中心旨在促进芯片制造的研发，推动零排放和低排放汽车、物联网设备、AI和数据中心的进步。他们指出，格芯计划与印度探索长期的制造合作关系，为两国创造高质量的就业机会。
双方领导人还欢迎美国国务院与印度半导体代表团建立新的战略合作伙伴关系，并与国际技术安全与创新（ITSI）基金保持一致。
声明肯定了为加强汽车市场供应链所做的努力，包括福特汽车公司利用其钦奈工厂进行出口的意向书。
此外，拜登和莫迪还概述了在未来五年调动超过9000万美元资金支持美印全球挑战研究所的计划，以促进两国大学和研究机构之间的高影响力研究伙伴关系。他们庆祝了旨在加强研究合作的新的美印先进材料研发论坛的启动。
双方领导人强调了在AI、量子技术和其他关键领域日益增长的合作，并强调了最近召开的美印量子协调机制会议，以及通过美印科技捐赠基金（IUSSTF）宣布为两国在AI和量子领域的研究提供新的奖励。值得注意的是，IBM已与印度政府签署了一份谅解备忘录，以推进AI创新和半导体研究。
最后，双方领导人对目前围绕5G部署和下一代电信加强合作的努力表示赞赏，包括美国国际开发署投资700万美元，与印度机构合作扩大亚洲Open RAN学院。（校对/张杰）
