7月17日，微导纳米发布公告称，近期，公司首次发布了自主研发的“先进封装低温薄膜应用解决方案”。该方案针对半导 体领域2.5D和3D先进封装技术的低温工艺特殊需求而设计，能够在50~200°C的低温温度区间内实现高均匀性、高质量、高可靠性的薄膜沉积效果。
方案包括iTronix LTP系列低温等离子体化学气相沉积系统、iTomic PE系列 等离子体增强原子层沉积系统、iTomic MeT系列金属及金属氮化物沉积系统等多款公司自主研发的低温薄膜沉积设备产品。
其中，iTronix LTP系列低温等离子体化学气相沉积系统能够在低温下实现高质量的SiO2、SiN和SiCN薄膜沉积，适用于混合键合的介电层（ILD）、低k阻挡层和堆叠薄膜（BVR）；iTomic PE系列等离子体增强原子层沉积系统可沉积高质量的 SiO2 和 SiN薄膜，适用于高深宽比的 TSV 衬垫，能够在极高深宽比的通孔内形成均匀且致密的绝缘层，保证了器件性能的稳定；iTomic MeT系列金属及金属氮化物沉积系统可沉积高性能的TiN、TaN、Ru等金属性薄膜，适用于高深宽比TSV的铜阻挡层，能够有效防止铜扩散，提高了TSV的可靠性。当前公司正积极推动上述产品的市场导 入，构建产品先发优势。
微导纳米指出，公司在半导体领域已推出包括iTomic系列原子层沉积系统、iTomic MW 系列批量式原子层沉积系统、iTomic PE系列等离子体增强原子层沉积系统、iTronix 系列化学气相沉积系统等系列产品，现有产品能够对逻辑芯片、存储芯片、化合物半导体、新型显示（硅基 OLED）中的薄膜沉积应用实现较为全面的覆盖，公司目前产品已经覆盖 HfO₂、Al₂O3、ZrO₂、TiO₂、La₂O3、ZnO、SiO₂、TiN、TiAl、TaN、AlN、SiN、SiON、SiCN、无定形碳、SiGe 等多种薄膜材料。
同时，微导纳米瞄准国内外半导体先进技术和工艺的发展方向，持续丰富产品矩阵，为客户提供最先进的、集成化的真空技术工艺解决方案，打通国内先进半导体下一代技术迭代的需求。目前，2.5D 和 3D 封装技术正以其高集成度和优越性能，成为推动电子器件微型化和性能提升的重要手段。公司新产品的发布体现了公司的科技创新能力，进一步丰富了公司的产品线。通过拓宽产品的应用场景，能有效降低单一行业周期性波动给公司带来的不利影响。
