天眼查显示，华润微电子（重庆）有限公司“耗尽型VDMOS器件及其制作方法”专利公布，申请公布日为2024年5月28日，申请公布号为CN118099194A。
本发明提供一种耗尽型VDMOS器件及其制作方法，包括：提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有漂移区；于所述漂移区上形成栅结构，所述栅结构设置成分别与相邻两所述阱区交叠，所述栅结构包括位于所述漂移区表面的栅介质层和所述栅电极层；以注入掩模图形限定的窗口执行离子注入，于所述阱区内形成源区；覆盖所述栅结构、所述源区和所述阱区形成介质隔离层；于所述介质隔离层上形成氮化硅层；所述介质隔离层中引入正电荷后，所述氮化硅层导致所述阱区邻近的栅结构表面感应产生电荷，进而形成初始沟道。本发明通过在位于氮化硅层下的介质隔离层引入正电荷，确保沟道处于常开状态，同时使制作工艺简化，大幅降低了工艺流片成本。
