5月22日，东风汽车官微发文称，东风与中车合作在武汉成立的智新半导体，开展自主攻关，研发生产车规级的IGBT模块，并顺利实现了IGBT产品量产，一期产能30万只，主要生产400V硅基IGBT模块，与国外产品相比，价格降低50%，实现了国产IGBT模块从无到有的突破。
智新半导体第二条生产线今年4月已经投用，规划产能40万只，兼容生产400V硅基IGBT模块和800V碳化硅模块，产线的国产化率达到70%，预计7月批量投产，10月大批量投用。
目前，智新半导体正在研发双面水冷塑封碳化硅模块，体积减小40%，能实现更低损耗、更高效率，进一步提升车辆续航里程，降低整车成本。
此外，智新半导体正规划第三条生产线，规划年产能50万只，到2025年，智新半导体将达到总产能120万只IGBT模块，全力支撑“十四五”东风公司100万辆新能源车的销量目标。（校对/赵碧莹）
