12月16日，由半导体投资联盟主办、爱集微承办的“2024半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼”在北京嘉里大酒店成功举办。本届“IC风云榜”的30大奖项、60大榜单在现场隆重揭晓，派恩杰半导体 （杭州） 有限公司 （以下简称：派恩杰半导体）荣获“年度车规芯片市场突破奖”。
“年度车规芯片市场突破奖”旨在表彰2023年度实现单款车规芯片产品高销售收入或销量收入突出性高增长，在细分领域市场占有率处于领先地位，产品应用市场广泛的企业。
派恩杰半导体成立于2018年，聚焦第三代半导体功率器件领域，主营碳化硅MOSFET、碳化硅SBD和氮化镓HEMT等功率器件产品，拥有国内最全碳化硅功率器件产品目录，碳化硅MOSFET与碳化硅SBD产品覆盖各个电压等级与载流能力，且均通过了AEC-Q101车规级测试认证，可以满足客户的各种应用场景。
派恩杰半导体创始人黄兴博士师承IGBT发明人B. Jayant Baliga教授和ETO晶闸管发明人Alex Q. Huang教授，2009年起便开始深耕碳化硅和氮化镓功率器件的设计和研发。
作为面向电动汽车市场的“拳头产品”，派恩杰半导体推出的P3M06060K4是一款车规级650V 60mOhm TO247-4L碳化硅场效应管，具有高耐压、高耐温、低开关损耗、开关速度快等优异特性。P3M06060K4的核心技术优势在于采用4.8um元胞尺寸设计，对标世界领先工艺，性能指标HDFM国际领先，可广泛应用于车载充电器与通信电源等应用中。
P3M06060K4凭借优良的产品性能与可靠性，在国内同类市场中已占有显著份额，表现出色；在国际市场上，成功获得了一定份额，树立了良好的市场地位。
IC风云榜聚焦新时代环境下中国集成电路产业最具经营智慧的风云企业，集合市场、学研、资方、品牌等综合视角，以权威性、创新性、成长性、持续性为评选标准，经过半导体投资联盟超100家会员单位、500多位半导体行业CEO共同担任的评委会投票产生，以鼓励和表彰过去一年中，在半导体技术创新和产品设计制造、行业资本管理及运作、产业链上下游集群建设、企业财务表现等方面，作出突出贡献，取得优异成绩的对象，树立风向新标杆。
