夏普等展出128Kbit的RRAM芯片

　夏普开发出了容量128Kbit的RRAM（Resistance RAM）芯片。在日本新能源产业技术综合开发机构（NEDO）设于纳米技术相关展会“nano tech 2010（国际纳米科技综合展，2月17日～19日）”展区的一个展位上，夏普展示了制作这种RRAM的8英寸晶圆及芯片布局。据介绍，这是在NEDO的 支持下，由夏普、爱发科、日本产业技术综合研究所及大阪大学等推进的共同研究成果。

　　夏普从2002年前后开始陆续发布了多项RRAM相关的研究。

　　此次展出的RRAM的8英寸晶圆是2009年11月刚刚制成的。RRAM基于过渡金属钴（Co）的氧化物。芯片尺寸约为5mm×4mm，采用标准 CMOS技术制造，数据写入电路及读取电路等也集成在芯片上。据介绍，存储单元的写入及读取动作已获得确认。

　　夏普预定在2010年5月于首尔举行的学会“International Memory Workshop 2010”上发布开发品的详情。（记者：野泽 哲生）