【编者按】自2020年举办以来，IC风云榜已成为半导体行业的年度盛事。今年进一步扩容升级，共设立三大类73项重磅大奖，覆盖投资、上市公司、市场、AI、具身智能、职场、知识产权、汽车、海外市场九大核心领域，全方位挖掘半导体产业各赛道的标杆力量。评委会由超过100家半导体投资联盟会员单位及500+行业CEO组成。获奖名单将于2026半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼上揭晓。
【候选企业】成都铭科思微电子技术有限责任公司
【候选奖项】年度技术突破奖
【候选产品】 C/X/Ku波段Beamformer芯片，MSR1001E
成都铭科思微电子技术有限责任公司（以下简称“铭科思”），是一家全频段信号链路核心芯片及解决方案提供商。公司注册地址位于四川省成都市，自成立以来坚持产品全自主正向研发，深耕半导体产业中模拟芯片/微波射频细分领域。
铭科思的主营业务分为两类：一类是高精度、高速信号转换芯片，包括ADC（模数转换器）和DAC（数模转换器）等。公司在该系列产品的布局已实现所有ADC架构全覆盖，相关产品已导入多个头部客户并形成批量供应；另一类是硅基射频芯片，涵盖射频幅相多功能芯片、混频器等，这类芯片是相控阵雷达T/R组件中最核心的器件，已达成国内性价比最优水平。截至目前，公司已推出百余款可供销售的产品型号，凭借深厚的技术积累与雄厚的研发投入，铭科思推出的多款产品广受业界好评与认可。
铭科思先后荣获国家高新技术企业、全国集成电路标准化技术委员会工作组成员单位、四川省企业技术中心、成都市微波射频产业协会副会长单位及重点产业链企业等多项荣誉。目前，公司拥有近150项核心自主知识产权，三项关键核心技术经权威评定达到国际先进，充分彰显了在细分领域的前沿创新能力。
铭科思的核心成员均毕业于集成电路领域顶尖院校，平均拥有15年以上信号链产品研发经验。公司研发人员占比达60%，80%以上技术员工毕业于985高校或国外知名大学。截至目前，公司累计研发投入近4亿元。
在射频芯片技术创新的赛道上，铭科思交出了亮眼答卷——其研发的MSR1001E芯片，凭借CMOS射频芯片宽带化与高集成两大核心技术，实现了性能与集成度的双重跨越，为超宽带射频应用场景提供了强力支撑。
宽带化技术领航，打破带宽与精度桎梏
MSR1001E的核心竞争力之一，源于其在CMOS射频芯片宽带化技术上的深度打磨。该技术体系涵盖超宽带设计技术与精准相位幅度控制及正交性保持技术两大关键方向，彻底突破了传统窄带方案的性能瓶颈。
在带宽表现上，该芯片射频中心工作带宽覆盖5～18GHz，相对带宽高达113%（相当于3.6倍频程）。这一数据背后，是对传统技术的颠覆性超越——常规窄带设计方案的相对带宽普遍仅为10%～30%，难以适配超宽带应用的严苛需求，而MSR1001E的超宽带设计技术，成功为射频带宽拓展打开了新空间。
高精度控制是其另一大技术亮点。在5GHz-18GHz的超宽带范围内，芯片相位控制精度达到7bit（LSB=2.8°）。如此高的相位控制要求，使得芯片对晶体管及无源器件的寄生特性极为敏感，而铭科思的精准相位控制技术恰好攻克了这一难题。同时，芯片幅度控制实现6bit精度（LSB=0.5dB），不仅达成31.5dB的大动态调节范围，更有效规避了高精度调节中易出现的偏差问题。
针对幅度与相位控制中易产生的交叉寄生误差（控幅伴随寄生相位误差、控相伴随寄生幅度误差），芯片通过正交性保持技术，大幅降低了系统应用阶段的校准工作量，进一步提升了使用便捷性。
高集成设计发力，实现小型化与功能全覆盖
依托CMOS工艺天然的高集成特性，MSR1001E实现了射频、模拟、电源调制、数字波控等多元功能的单芯片集成，在保障性能的同时，攻克了系统小型化与特殊电源技术两大核心课题。
在小型化方面，芯片具备极致小型化特性，裸片体积纤小却集成了4路发射通道与4路接收通道，涵盖控幅、控相、放大、切换及必要的合成/功分网络等完整功能模块。这种高密度集成设计，得益于铭科思在系统芯片小型化技术上的深厚积累，为设备小型化、轻量化应用提供了可能。
电源调制模块的技术创新尤为引人关注。该模块整合正负电压输出功能，其中负压及高压电路实现技术更是突破了行业瓶颈：铭科思通过在传统电路基础上引入特殊技术，解决了负压电路易发生内部击穿、可靠性不足的问题；同时借助多堆叠技术与配套逻辑控制电路，使电路能够输出超过自身耐压值的电压，且有效规避超压风险，为芯片稳定运行提供了可靠保障。
从超宽带性能到高集成设计，MSR1001E芯片的每一项技术突破都彰显了铭科思的研发实力，也为射频芯片在更广泛场景的应用奠定了坚实基础。
此次，铭科思凭借MSR1001E的创新技术突破，竞逐“IC风云榜”年度技术突破奖。该奖项旨在表彰2025年度于前沿技术领域开展原始性重大技术创新、达到国际先进/领先水平、未来或产生重大经济社会效益，且对推动我国集成电路产业链自主安全可控发展发挥重大作用的企业。
2026半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼将于2025年12月在上海举办，奖项申报已启动，目前征集与候选企业/机构报道正在进行，欢迎报名参与，共赴行业盛宴！
【年度技术突破奖】
旨在表彰2025年度于前沿技术领域开展原始性重大技术创新，达到国际先进/领先水平，未来或产生重大经济社会效益，对于推动我国集成电路产业链自主安全可控发展发挥重大作用的企业。 【报名条件】
1、深耕半导体某一细分领域，2025年发布的新技术或产品具有原始性重大技术创新，达到国际先进/领先水平；
2、产品应用范围广，具有良好市场前景，对全球及国内半导体产业发展起到重要作用。
【评选标准】
1、技术的原始创新性50%；
2、技术或产品的主要性能和指标30%；
3、产品的市场前景及经济社会效益20%。
（校对/张杰）
