【编者按】自2020年举办以来，IC风云榜已成为半导体行业的年度盛事。今年进一步扩容升级，共设立三大类73项重磅大奖，覆盖投资、上市公司、市场、AI、具身智能、职场、知识产权、汽车、海外市场九大核心领域，全方位挖掘半导体产业各赛道的标杆力量。评委会由超过100家半导体投资联盟会员单位及500+行业CEO组成。获奖名单将于2026半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼上揭晓。
【候选企业】英诺赛科（苏州）科技股份有限公司（简称“英诺赛科”）
【候选奖项】年度半导体上市公司领航奖（功率半导体）
英诺赛科成立于2015年12月，是一家专注于第三代半导体硅基氮化镓研发与产业化的高新技术企业。公司采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、晶圆制造、测试与失效分析于一体，并具备全球领先的8英寸硅基氮化镓晶圆量产能力。目前，公司产品覆盖从低压至高压（15V-1200V）的氮化镓功率器件，其设计水平与综合性能均达到国际先进标准。
凭借持续的技术突破与创新积累，英诺赛科近年来发展迅速，产品已广泛应用于多个领域。作为氮化镓功率半导体行业的领军企业，英诺赛科于2024年12月30日成功在港股上市，进一步巩固了其在全球氮化镓市场的领先地位。
基于在功率半导体领域的卓越表现，英诺赛科竞逐“IC风云榜”年度半导体上市公司领航奖（功率半导体），并成为候选企业。该奖项旨在表彰在半导体产业链中具备综合领导力与行业号召力的上市公司，获奖企业需在细分领域占据头部地位，通过构建技术壁垒、发挥规模化效益及扩大生态影响力来推动产业升级，代表中国半导体产业的标杆力量。
在技术密集、专利竞争尤为激烈的GaN功率器件领域，健全的知识产权战略是企业立足的关键。面对行业专利竞争，英诺赛科积极构建系统的专利布局，以保护核心技术成果。目前，公司已形成规模与质量并重的专利组合，为产品与技术发展提供了扎实的法律支撑与保障。
截至目前，英诺赛科累计专利申请量已突破1100件，其中授权专利超过500件，专利储备规模稳居国内行业首位，并已进入全球GaN功率器件专利竞争的第一梯队。这些专利大多聚焦于GaN功率器件的核心技术，具备突出的技术转化价值与自主实施能力。
此外，英诺赛科以提升市场竞争力为核心，构建了立足中国、面向全球的知识产权保护体系。在专利地域布局上，公司在中国累计申请专利超过600件，同时积极推进国际化布局，其中PCT专利申请逾200件、美国专利申请超200件，并在欧洲、日本等重要市场布局专利30余件。
值得一提的是，英诺赛科在PCT及美国专利的申请比例显著高于国内同行业企业，体现了其前瞻性的全球化知识产权战略。这种多区域、立体化的专利网络，不仅增强了产品在全球市场的竞争力，也为技术出海与商业拓展构筑了坚实的法律保障。
据了解，英诺赛科的产品与方案已广泛应用于激光雷达、数据中心、高密度快充、车载充电器及LED照明驱动等多个领域，并与国内多家头部应用企业建立了深度合作，相关产品已实现规模化量产。作为全球技术领先的第三代半导体企业，英诺赛科在8英寸硅基氮化镓核心技术及关键工艺上取得重大突破，构建了具备高功率密度、高效率、高增益与低成本优势的硅基氮化镓量产平台，开创了中国在该领域从技术到产业化的自主突破。
英诺赛科自成立以来，已累计牵头或参与5项国家级重大专项。其中，公司作为牵头单位承担了3项国家级项目，包括1项科技部重点研发计划“新型显示与战略性电子材料”专项，以及2项工信部“产业基础再造和制造业高质量发展”专项。此外，公司还作为参与单位，加入了2项国家级专项：一项为由长城电源牵头的工信部“产业基础再造和制造业高质量发展”专项，另一项为由浙江大学牵头的科技部“战略性科技创新合作”专项。
【年度半导体上市公司领航奖（功率半导体）】
“半导体上市公司领航奖”旨在表彰在半导体产业链中具备综合领导力与行业号召力的上市公司。获奖企业需在细分领域占据头部地位，通过技术壁垒、规模化效益及生态影响力推动产业升级，代表中国半导体产业的标杆力量。其市场价值、技术布局与战略前瞻性将为投资者提供长期价值锚点，助力资本与产业深度协同。
【报名条件】
1、细分领域市场占有率≥15%（需第三方机构证明，如行业报告/协会数据）；
2、近三年营收复合增长率≥10%或净利润率高于行业均值；
3、主导产品通过国际标准认证（ISO/IEC）或头部客户批量采购（年采购额超1亿元）。
【评选标准】
1、技术领导力（30%）：研发费用率＞15%，专利数/核心IP数量行业领先
2、市场统治力（40%）：营收规模、毛利率、客户集中度（头部客户占比＞30%）；
3、生态影响力（30%）：供应链国产化率＞50%，政策支持力度（如大基金持仓、国家级项目）。
（校对/张杰）
