（文/罗叶馨梅）12月4日，拓荆科技（688072.SH）在2025年第三季度业绩说明会上表示，近期存储价格上涨体现出存储芯片市场需求仍然较强。公司董事长吕光泉指出，从中长期看，存储价格回升有望推动存储芯片制造厂持续扩充产能，并带动相关半导体设备需求同步提升。他认为，下游客户的扩产节奏及技术升级路径，将成为公司业务增长的重要驱动力之一。
公告显示，2025年第三季度，拓荆科技实现营业收入22.66亿元，同比增长124.15%；实现归属于上市公司股东的净利润4.62亿元，同比增长225.07%。2025年1-9月，公司实现营业收入42.20亿元，同比增长85.27%，实现归属于上市公司股东的净利润5.57亿元，同比增长105.14%。公司称，营收高增长主要得益于面向先进制程领域推出的新产品、新工艺设备进入规模化量产阶段，净利润快速提升则与营收规模持续扩大、期间费用率下降及规模效应显现有关。
在产能布局方面，拓荆科技目前主要在沈阳、上海临港设有产业化基地，总体可支撑超过700台套/年的设备产能。公司透露，正在建设的沈阳二厂将进一步增强未来的产能支撑能力，为后续接单和产品放量提供保障。公司表示，将在现有基础上结合市场需求和订单情况，稳步推进产线扩充和交付能力优化。
在产品层面，公司薄膜沉积系列产品持续拓展工艺并扩大量产规模。截至2025年第三季度末，基于PF-300TPlus和PF-300M等新型设备平台以及pX和Supra-D新型反应腔的PECVD Stack（ONO叠层）、ACHM、PECVD Bianca、ALD SiCO等先进制程设备，已顺利通过客户认证并进入规模化量产阶段。在键合设备方面，晶圆对晶圆混合键合设备获得重复订单，新一代高速高精度晶圆对晶圆混合键合产品已发货至客户端验证，芯片对晶圆混合键合设备验证进展顺利，公司亦已完成永久键合后晶圆激光剥离产品的开发。
对于半导体工艺迭代趋势，吕光泉表示，全球半导体行业正逐步迈入后摩尔时代，新结构、新材料不断涌现，GAA（全环绕栅极）、背面供电等核心技术节点加速推进，高K金属栅等特殊材料的应用重要性持续提升。在存储领域，数据量的快速增长正驱动高带宽存储器（HBM）向三维集成等方向演进，3D NAND Flash芯片堆叠层数不断提高，技术发展趋势将同步抬升下游客户对先进硬掩模、关键介质薄膜以及相关薄膜沉积、键合设备的技术要求和采购需求。
吕光泉称，公司目前PECVD、ALD、SACVD、HDPCVD、Flowable CVD等薄膜设备系列产品及先进键合系列产品，已在存储芯片制造领域实现产业化应用，在手订单保持饱满。他预计，若后续存储厂商进一步扩产，将持续拉动上述设备需求。未来，公司将保持高强度研发投入，在薄膜沉积设备和三维集成设备领域持续深耕，围绕半导体产业技术趋势拓展先进制程领域所需的新产品、新工艺和高产能设备产品，巩固公司在相关细分赛道的核心竞争力。
（校对/秋贤）
