凌锐半导体:SiC MOS栅氧长期可靠性 作者: 爱集微 2025-10-31 相关舆情 AI解读 生成海报 来源:凌锐半导体 #SiC MOS# #栅氧寿命# #TDDB# #E-模型# 评论 收藏 点赞 3.5w 责编: 爱集微 来源:凌锐半导体 #SiC MOS# #栅氧寿命# #TDDB# #E-模型# 收藏 点赞 分享至: 微信扫一扫分享 THE END 相关推荐 芯联动力获“2024中国汽车芯片创新成果”荣誉 极具成果创新性!瑶芯微SiC MOSFET产品获“国际先进”的高度评价 今年再盖4座先进封装厂?台积电称“以公开资讯为主” 机构研报:先进制程产能缺口超100万片 涉及智能驾驶,西安电子科技大学科研团队取得新突破 工信部发布管理办法 首次将科技型中小企业纳入梯度培育范围 +关注 爱集微 微信: 邮箱:laoyaoba@gmail.com 12.4w文章总数 12012.5w总浏览量 最近发布 存储大厂产能调整 DDR4市场供需格局恐生变 2小时前 黑芝麻智能携手中远海运旗下数智公司,启动船舶智能巡检机器人项目 11小时前 上游供应链存储涨价 陆多家手机厂商下调全年订单数量 14小时前 HBM需求热 三星芯片员工领近六个月绩效奖金 SK海力士每人发66万元 14小时前 FTC拟审查美国大型科技公司的过往收购交易 14小时前 获取更多内容 最新资讯 今年再盖4座先进封装厂?台积电称“以公开资讯为主” 5分钟前 机构研报:先进制程产能缺口超100万片 26分钟前 涉及智能驾驶,西安电子科技大学科研团队取得新突破 31分钟前 工信部发布管理办法 首次将科技型中小企业纳入梯度培育范围 48分钟前 存储大厂产能调整 DDR4市场供需格局恐生变 2小时前 解析被动元件企业营运能力:分层明显 周转效率成竞争关键变量 6小时前