近日，宏微科技在接受机构调研时表示，公司第三代半导体研发取得重要成果。车规级1200V碳化硅（SiC）MOSFET芯片已通过可靠性验证并实现小批量出货，自主研发的SiC SBD（肖特基势垒二极管）芯片也通过多家终端客户验证，部分产品进入小批量出货阶段。

在新能源汽车领域，宏微科技控股子公司芯动能于2024年底实现第100万只车规级电驱双面散热塑封模块下线，成为国内第二家具备该产品大规模量产能力的半导体企业。该模块兼容IGBT和SiC MOSFET芯片，可满足200kW以内电机控制器需求。公司推出的GVD模块（适用于增程式车型）及800V高压平台产品已批量交付，形成灌封与塑封模块双轨并行的产品结构。

技术研发方面，宏微科技第七代IGBT技术（M7i）性能显著提升，相较第六代产品电流密度提升20%，开关损耗降低10%，最高工作温度达175℃，覆盖650V至1200V全电压等级，并在新能源汽车电机控制器等领域实现规模化应用。

产业链协同方面，宏微科技与华虹宏力于2025年初签署五年战略合作备忘录，联合研发IGBT与FRD等核心产品，优化工艺平台以提升市场竞争力。此次合作将强化公司在功率半导体领域的核心技术优势。

（校对/黄仁贵）