华虹宏力“降低PECVD薄膜等离子体损伤的方法”专利公布

作者：爱集微 16小时前

来源：爱集微 #华虹宏力#

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天眼查显示，上海华虹宏力半导体制造有限公司“降低PECVD薄膜等离子体损伤的方法”专利公布，申请公布日为2024年11月15日，申请公布号为CN118957544A。

本发明提供一种降低PECVD薄膜等离子体损伤的方法，提供衬底，将衬底置于增强型等离子体化学气相淀积的反应腔体中，利用增强型等离子体化学气相淀积的方法在衬底上形成PECVD薄膜；在反应腔体中通入O2和He，利用射频源将O2和He电离为等离子体对PECVD薄膜的表面进行处理，使得PECVD薄膜的表面电压标准方差符合预设值；去除反应腔体中的工艺气体。本发明能够使最终表征等离子体损伤趋势的表面电压标准方差（Vs stdev）有明显下降。