据报道，三星已在其最新 3D NAND 的光刻工艺中减少了厚光刻胶 (PR) 的使用，从而大幅节省了成本。然而，此举可能会影响其韩国供应商东进半导体。
三星已将用于3D NAND 生产的 PR 使用量减少了一半，消耗量从每涂层 7-8 cc 减少到 4-4.5 cc。行业分析师预测东进半导体的收入可能会下降，这凸显了成本削减措施对供应链动态的更广泛影响。
据悉，三星致力于提高 NAND 工艺效率并降低成本，通过两项关键创新成功减少了光刻胶的使用量。首先，三星优化了应用过程中的每分钟转数 (rpm) 和涂布机转速，在保持最佳蚀刻条件的同时减少了 PR 的使用，在保持涂层质量同时大幅节省成本。其次，PR 应用后的蚀刻工艺已经得到改进，尽管材料使用量减少，但仍能获得同等或更优的结果。
3D NAND 中堆叠层数的增加推高了生产成本。为了提高效率，三星在其第 7 代和第 8 代 NAND 中采用了KrF PR，从而能够在一次应用中形成多层。KrF PR虽然非常适合堆叠工艺，但由于其高粘度，给涂层均匀性带来了挑战，增加了生产的复杂性。PR生产涉及复杂的工艺、高纯度标准、广泛的研究和开发以及漫长的验证周期，为新进入市场的企业设置了巨大的技术壁垒。
