中国科学院微电子所28nm 嵌入式RRAM IP赋能先进显示芯片在京量产

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当前,Flash遇到制程微缩瓶颈,大规模量产停滞在40nm。微电子所刘明院士团队推出创新突破性的28nm 嵌入式RRAM IP,成功应用于全球首款28nm先进显示芯片并实现量产。

近日,北京经济技术开发区(北京亦庄)显示高技术企业宣布全球首款应用28nm RRAM IP 的28nm先进工艺SoC高端显示芯片在京完成量产,并成功应用于国内头部客户的Mini LED(次毫米发光二极管)高端系列电视中。该款芯片内置RRAM(Resistive Random Access Memory,阻变存储器)存储模块,其存储核心技术和RRAM IP由中国科学院微电子研究所研发,画质调节算法由亦庄企业研制。此产品的量产标志着世界上首次采用28nm嵌入式RRAM IP的先进商用TCON(Timing Controller)画质调节芯片的诞生,显示类芯片由此进入到一个新的半导体工艺高度。

刘明院士表示,“微电子所研究团队在半导体存储领域,特别是在RRAM领域进行了超过二十年的系统性研究,创建了从材料、工艺、器件、电路到芯片与系统的全流程完整自主知识产权体系”。该款28nm显示芯片由微电子所团队与亦庄企业合作研发完成,具有完全自主知识产权,是国内显示芯片产品的破局之作。同时该芯片在京量产打造了又一个产学研用的成功范例,为“国家队”先进集成电路技术开展大规模产业化应用走出了一条新路径。

首次采用28nm嵌入式RRAM IP的先进商用TCON画质调节芯片

责编: 赵碧莹
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