【下跌】三星电子股价跌至四年低点;台积电批准近155亿美元拨款,用于建设新晶圆厂和先进节点产能;Q3硅晶圆出货量创5个季度来新高

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1、三星电子股价跌至四年低点 今年迄今已下跌34%

2、台积电批准近155亿美元拨款,用于建设新晶圆厂和先进节点产能

3、黄仁勋、孙正义宣布,软银将使用英伟达Blackwell芯片打造AI超算

4、SEMI:Q3硅晶圆出货量创5个季度来新高 明年延续上升趋势

5、TWS耳机高性价比电感来“袭”

6、AI GPU崛起,先进封装面临技术与环境影响的双重挑战


1、三星电子股价跌至四年低点 今年迄今已下跌34%

分析师表示,由于担心新唐纳德·特朗普政府上台后美国关税的影响,全球最大内存芯片制造商三星电子的股价周三跌至四年多以来的最低水平。

这家韩国科技巨头是今年表现最差的全球芯片制造商中的一支,因为它在利用人工智能(AI)芯片的旺盛需求方面落后于竞争对手。

BNK Investment & Securities分析师李敏熙(Lee Min-hee,音译)表示,特朗普对中国进口产品征收的潜在关税将对三星造成更大打击,因为三星对中国客户的依赖程度高于其本土竞争对手SK 海力士。

SK海力士一直在增加对英伟达等美国客户的高端AI服务器芯片销售。

现代汽车证券分析师Greg Noh表示,特朗普威胁要对进口产品征收10%的普遍关税,对中国产品征收60%的关税,这将减少对使用芯片的电子产品的需求。

上周,韩国总统尹锡悦也担心特朗普对中国进口产品征收高额关税的威胁可能会促使中国竞争对手大幅降低出口价格,削弱韩国芯片公司在海外的竞争力。

三星股价今年迄今已下跌34%,或将创下20多年来最糟糕的年度表现。SK海力士股价今年迄今已上涨32%,美国芯片制造商英伟达股价上涨199%。

三星是韩国最有价值的股票,截至格林威治标准时间凌晨1点26分,三星股价连续第四个交易日下跌2.1%,此前一度下跌2.5%至51700韩元,为2020年6月24日以来的最低水平,而韩国综合股价指数下跌1.5%。

2、台积电批准近155亿美元拨款,用于建设新晶圆厂和先进节点产能

台积电董事会已批准拨款约154.8亿美元,主要用于新晶圆厂建设、晶圆厂设施系统安装和先进工艺节点产能部署。

用于其他目的的资本拨款包括2025年的研发资本投资、持续资本支出和次年的资本化租赁资产。据这家纯晶圆代工厂称,所有这些目的都是为了根据市场需求预测和台积电的技术发展路线图实现长期产能计划。

台积电董事会还批准在多个市场发行不超过600亿元新台币(约合18.5亿美元)的无担保公司债券,以资助台积电的产能开发和/或污染防治支出。

此外,台积电董事会批准在2024年第三季度派发每股4.50元新台币的现金股息。台积电公布的净利润为3252.6亿元新台币,即每股摊薄收益12.54元新台币,综合营收为7596.9亿元新台币。

台积电第三季度营收和利润率超过三个月前发布的指引。该公司预计,按美元计算,第四季度中值营收将环比增长13%。

为应对AI相关强劲需求,台积电预估2024年资本支出将略高于300亿美元,2025年资本支出有望高于今年。

3、黄仁勋、孙正义宣布,软银将使用英伟达Blackwell芯片打造AI超算

软银集团公司将率先使用英伟达新Blackwell芯片打造超级计算机,这表明这家日本公司在人工智能(AI)领域赶超的雄心。

两家公司表示,软银电信部门计划制造日本最强大的AI超级计算机,以支持广泛的本地服务。该计算机将基于英伟达的DGX B200产品,该产品将计算机处理器与所谓的AI加速器芯片相结合。后续超算将采用更高级的版本Grace Blackwell。

英伟达的芯片已成为全球最大科技公司的珍贵商品,这些公司使用这些组件来开发和运行AI模型。该过程需要软件接受大量数据——而加速器芯片尤其擅长处理这些数据。

该公告表明,软银在2019年初之前拥有英伟达4.9%的股份,目前已在芯片方面占据有利地位。软银创始人孙正义表示,他正准备在AI领域“全力以赴”。近期,软银报告称,由于科技估值上升,该公司恢复盈利。

英伟达CEO黄仁勋在今年早些时候宣布了新的Blackwell系列,但生产障碍减缓了推出速度。尽管黄仁勋表示,一旦生产速度加快,供应就会充足,但客户一直渴望获得第一批新芯片。

孙正义在东京的英伟达AI峰会上与黄仁勋一同登台。当被提醒软银之前持有英伟达股份(如今价值约1780亿美元)时,孙正义先是畏缩了一下,然后大笑起来,接着紧紧拥抱了黄仁勋。

英伟达一直在全球各地举办此类活动,宣传所谓的新工业革命。印度和日本的活动旨在将AI系统的部署扩大到国家层面,并减少英伟达对少数美国大客户的依赖。

除了新超算和第二台超算的计划外,软银的电信部门还将使用英伟达的设备通过蜂窝网络提供AI服务。传统硬件基于定制芯片,旨在最大限度地提高移动数据流量,但并不适合新的AI服务。

“最终将形成一个遍布日本的AI网络,”黄仁勋说,并补充说这将把通信网络变成AI网络。

黄仁勋表示,新的AI-RAN或AI无线接入网络将更适合远程机器人、自动驾驶汽车和为其他服务供电。它们需要的电力也会更少。

该电信部门将与合作伙伴富士通和IBM红帽一起开始测试该网络。

“我们将购买大量芯片。”孙正义告诉黄仁勋。这位日本亿万富翁表示,日本正处于变革的边缘,他经常批评该国政府和公司在采用新技术方面进展缓慢。他说,这一次,日本政府不会阻碍AI和机器人的发展。

日本政府已拨款4万亿日元(260亿美元)来增强其国内芯片生产能力。其中包括Rapidus背后的一项“登月计划”,该计划旨在从头开始建造一家最先进的代工厂,以挑战生产英伟达芯片的台积电。日本首相石破茂还承诺为该国的半导体和AI行业提供超过650亿美元的新支持。

“但他们应该给予更多激励,”孙正义告诉黄仁勋,“正如你所说,这是重置,这是这场革命的追赶时刻。我们不能错过这个时机。”

4、SEMI:Q3硅晶圆出货量创5个季度来新高 明年延续上升趋势

国际半导体产业协会(SEMI)最新报告显示,第三季度全球硅晶圆出货量持续增加,达32.14亿平方英寸,季增5.9%、年增6.8%,并创5个季度来新高,并预期2025年有望延续上升趋势。

SEMI指出,整体供应链库存水平下降,不过整体仍处于较高水平。观察用于人工智能(AI)的先进硅晶圆需求持续强劲,汽车和工业用途的硅晶圆需求依然疲软,手机和其他消费产品用的需求在某些领域有所改善。

SEMI预期,2025年硅晶圆出货量可能延续上升趋势,但总出货量仍未回到2022年高峰水准。

此前SEMI在年度硅晶圆出货量预测中报告称,预计2024年全球硅晶圆出货量将下降2%至121.74亿平方英寸(MSI),随着晶圆需求继续从下行周期中复苏,2025年强劲反弹10%至133.28亿平方英寸(MSI)。

SEMI预计,硅晶圆出货量将持续强劲增长至2027年,以满足与AI和先进制造相关的日益增长的需求,从而推动全球半导体产能的晶圆厂利用率提高。此外,先进封装和高带宽存储器(HBM)生产中的新应用需要额外的晶圆,这也加剧了市场对硅晶圆的需求。此类应用包括临时或永久载体晶圆、中介层、将器件分离成小芯片以及存储器/逻辑阵列分离。

5、TWS耳机高性价比电感来“袭”

TWS耳机框架图

图1来源于顺络

 图2蓝牙SoC应用电路 (来源网络)

TWS耳机功率电感作用

功率电感用在电池电压4.2V或4.35V 经降压电路(外围电感L4)产生0.8V电压对VCORE进行供电;

 IC内部降压电路(外围电感L1)输出1.3V对VANA供电;IC内部降压电路(外围电感L2)输出1.7V对 VCODEC 供电;

 TWS耳机正常运行时功耗很低,一般几mW,由于TWS耳机蓝牙芯片的启动脉冲电流较大,要求所需电感能承受较大的脉冲电流,所需电感的饱和电流要求范围700mA~1.5A;目前TWS耳机蓝牙芯片的开关频率在500KHz—2MHz,不同状态(待机,播放音乐,打电话,DCDC差异)会做调频处理,选择效率最优的状态,在各TWS耳机设计方案中电感常用感量为2.2μH、4.7μH、10μH;

TWS耳机常见问题说明

TWS耳机因结构狭小,空间拥挤,内部元器件排列紧密,由于方案设计能力(PCB的走线及元件位置的摆放等)及结构形状的不同也会因电感漏磁、喇叭或其他部位的磁铁影响出现磁场干扰等问题:

1、耳机喇叭和电感磁场同轴相互产生干扰,造成底噪(嗞嗞声);

使用五面电极的叠层功率电感,可以灵活改变电感磁场的方向,避开与喇叭产生的磁场,消除与喇叭磁场耦合;

2、因电感产品漏磁产生的底噪;

使用磁屏蔽的叠层功率电感减少漏磁的干扰;

3、在不组装结构件(外壳)时是没有底噪声音,组装上外壳后出现;

结构本身存在设计缺陷,导致在扣壳以后构成整个系统存在干扰,要求耳机设计端工程师对结构布局进行调整;

MPHM1608系列背景和开发目的

为解决上述TWS耳机常见问题的困扰,顺络推出的MPHM系列不仅在电性能上能满足TWS耳机对功率电感的要求,其独特的制备工艺使该系列在价格方面也有很强的竞争力。

产品特点

小尺寸、大电流,高性价比;

独石结构、抗干扰,采用高导磁铁氧体,具有低漏磁特性;

Mark标识磁通方向,保证贴片后磁场方向一致性;

应用

TWS耳机/头戴式耳机

智能手表、电子标签

手机

电源模块

外观尺寸及推荐焊盘

产品规格和电气特性

MPHM160809-Y03 Series

MPHM160809-Y04 Series

漏磁性能对比

1、电感负载漏磁测试

测试条件:距离电感1mm磁辐射。

结论:产品基础电性相当的条件,叠层MPHM系列较同类型及绕线涂覆电感可提供更优秀的磁屏蔽效果,可明显降低整机底噪(电流音)调试难度。

2、电感漏磁距离测试

结论:由测试曲线可以看出,为避免涂胶电感和叠层电感因漏磁产生耦合干扰,建议元件排布距离电感大于3mm以上(电感漏磁小,磁场干扰较小)。

6、AI GPU崛起,先进封装面临技术与环境影响的双重挑战

随着半导体行业的发展,先进封装技术正变得越来越重要。这种技术推动了终端设备的小型化和性能提升,但也带来了可持续性方面的挑战。

尽管摩尔定律的终结已被多次预言,我们现在正处于一个“超越摩尔”的时代,这个时代不再局限于逻辑晶体管尺寸的缩放。先进封装技术正在拓展可能性的边界,专注于整个系统的优化或系统技术协同优化(STCO)。为了节省良率、成本和上市时间,IC将继续在水平方向上通过在同一封装内使用多个芯片(chiplet或异质集成)以及在垂直方向上使用芯片堆叠。

先进封装技术,如2.5D和3D技术,通过增加中介层和堆叠芯片,为半导体行业带来了新的小型化和性能优化途径。然而,TechInsights指出,这些技术使得封装工艺越来越类似于晶圆厂制造,引发了对环境影响的担忧。传统的封装组件,例如印刷线路板(PWB)和基板,仍然被使用,但现在它们旁边有了额外的中介层和桥接芯片,甚至还有垂直堆叠的芯片。

AI图形处理器(GPU)的尺寸不断增大,超出了单个硅片的尺寸限制,需要在近距离内堆叠多层高带宽内存(HBM)以提供足够的带宽通信。这些GPU的制造和使用过程中的高功耗已经引起了可持续性方面的关注,而增加的类似晶圆厂制造的封装过程进一步加剧了这一问题。

Chiplet技术提供了多功能性、缩短了产品上市时间,并可能带来可持续性方面的好处。在不太先进的工艺节点上使用已知良品芯片可以提高产量并减少整体排放。TechInsights预计Chiplet技术将渗透到整个半导体市场,并已经在消费电子领域产生影响,未来可能在汽车和数据中心领域产生更大影响。

TechInsights指出,这种技术的发展虽然从性能角度来看拓展了可能性,但由于涉及额外的工艺过程,也引发了可持续性方面的问题。TechInsights的分析显示,这些封装解决方案是对现有技术的补充,而不是替代。原有的封装材料,如印刷线路板(PWB)仍然存在,但现在旁边还有额外的中介层、桥接芯片甚至垂直堆叠的芯片。

值得注意的是,消费电子产品的持续小型化和迅速发展的人工智能GPU技术都受益于先进封装技术,甚至离不开它。TechInsights早先的报告指出,未来几年对人工智能加速器(AI GPU)的需求将迅速增长。但是,这一趋势也存在隐忧,谷歌和微软等公司最近披露,过去三到五年在人工智能基础设施方面的投资导致Scope 3排放大幅增加,这表明可持续性前景堪忧。

半导体行业的可持续性挑战需要行业内外的共同努力。随着技术的进步,我们需要在推动性能提升的同时,也要考虑环境影响,并寻找创新的解决方案以实现可持续发展。



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