随着HBM（高带宽存储）产品成为DRAM产业的新焦点，推动了Hybrid Bonding（混合键合）等先进封装技术的发展。根据TrendForce集邦咨询的最新研究，三大HBM原厂正在评估是否在HBM4 16hi产品中采用混合键合技术，并已确定在HBM5 20hi世代中使用该技术。
与传统的Micro Bump（微凸块）堆叠技术相比，混合键合技术由于不使用凸块，能够实现更多层的堆叠和更厚的晶粒厚度，从而改善翘曲问题，还能提供更快的芯片传输速度和更好的散热效果。
TrendForce指出，三大原厂已确定在HBM3e 12hi及HBM4 12hi世代继续使用Advanced MR-MUF及TC-NCF堆叠架构。对于HBM4 16hi和HBM4e 16hi世代，由于混合键合相较于Micro Bump并未展现出明显优势，目前尚无法确定哪种技术将更受欢迎。如果原厂选择采用混合键合，主要原因可能是为了尽早适应新的堆叠技术，确保HBM4e和HBM5的顺利量产。而考虑到堆叠高度限制、IO密度、散热等要求，三大原厂均已确定于HBM5 20hi世代使用混合键合。
然而，采用混合键合技术也面临挑战，包括原厂需要投资新设备以导入新技术，这可能会减少对Micro Bump的需求，并失去原有的技术优势。混合键合技术还需克服微粒控制等技术问题，这将增加单位投资成本。此外，由于混合键合需要以Wafer to Wafer堆叠，如果前端制程生产良率不高，整体生产良率将不具备经济效益。
TrendForce还指出，采用混合键合可能导致HBM的商业模式发生变化。使用Wafer to Wafer模式堆叠时，必须确保HBM基础裸晶（base die）与内存裸晶的尺寸完全一致。由于基础裸晶的设计通常由GPU/ASIC业者主导，因此，同时提供基础裸晶及GPU/ASIC晶圆代工服务的台积电可能会承担起基础裸晶与内存裸晶堆叠的重任。如果按照这种模式发展，预计将影响HBM业者在基础裸晶设计、堆叠以及整体HBM接单等商业环节的产业地位。
