▲三星半导体1TB QLC第九代V-NAND
三星最新的QLC V-NAND综合采用了多项突破性技术，其中通道孔蚀刻技术能基于双堆栈架构实现最高单元层数。三星首批QLC和TLC第九代V-NAND，为各种AI应用提供优质内存解决方案，三星首款1太比特（Tb）四层单元（QLC）第九代V-NAND（V-NAND）已正式开始量产。
今年四月，三星启动了其首批三层单元（TLC）第九代V-NAND的量产，随后又率先实现了QLC 第九代V-NAND的量产，这进一步巩固了三星在高容量、高性能NAND闪存市场中的地位。
三星电子执行副总裁兼闪存产品与技术负责人SungHoi Hur表示：“在距上次TLC版本量产仅四个月后，QLC第九代V-NAND产品成功启动量产，使我们能够提供，能够满足人工智能时代需求的完整阵容的SSD解决方案。随着企业级SSD市场呈现日益增长的趋势，对人工智能应用的需求更加强劲，我们将通过QLC和TLC第九代V-NAND继续巩固三星在该领域的市场地位。”
三星计划扩大QLC第九代V-NAND的应用范围，从品牌消费类产品开始，扩展到移动通用闪存（UFS）、个人电脑和服务器SSD，为包括云服务提供商在内的客户提供服务。
三星QLC第九代V-NAND综合运用多项创新成果，实现了多项技术突破。
三星引以为傲的通道孔蚀刻技术（Channel Hole Etching），能够基于双堆栈架构实现当前业内最高的单元层数。三星运用在TCL第九代V-NAND中积累的技术经验，优化了存储单元面积及外围电路，位密度比上一代QLC V-NAND提升约86%。
预设模具（Designed Mold）技术能够调整控制存储单元的字线（WL）间距，确保同一单元层内和单元层之间的存储单元的特性保持一致，达到最佳效果。V-NAND层数越多，存储单元特性越重要。采用预设模具技术使得数据保存性能相比之前的版本提升约20%，增强了产品的可靠性。
预测程序（Predictive Program）技术能够预测并控制存储单元的状态变化，尽可能减少不必要的操作。这项技术进步让三星QLC第九代V-NAND的写入性能翻倍，数据输入/输出速度提升60%。
低功耗设计（Low-Power Design）技术使得数据读取功耗约分别下降了约30%和50%。这项技术降低了驱动NAND存储单元所需的电压，能够仅感测必要的位线（BL），从而尽可能减少功耗。
*免责声明：除非经特殊说明，本文中所涉及的数据均为三星内部测试结果，涉及的对比均为与三星产品相比较。
