PI官宣收购Odyssey半导体资产 推动用GaN挑战SiC

集微网消息，高压集成电路高能效功率变换领域公司Power Integrations（PI）5月8日宣布，将收购垂直氮化镓（GaN）晶体管技术开发商Odyssey Semiconductor Technologies（奥德赛半导体技术）的资产。这项交易预计将于2024年7月完成，届时Odyssey的所有关键员工都将加入Power Integrations的技术部门。

PI称，此次收购将为PI公司专有的PowiGaN技术的持续开发提供有力支持。PowiGaN技术已广泛应用于该公司的众多产品系列，包括InnoSwitch IC、HiperPFS-5功率因数校正IC以及最近推出的InnoMux-2系列单级多路输出IC。该公司已于2023年推出900V和1250V版本的PowiGaN技术和产品。

PI技术副总裁Radu Barsan表示：“自2018年开始交付采用PowiGaN技术产品后，Power Integrations正在实施一项宏伟的产品研发路线，即实现与硅MOSFET成本持平的耐压及功率能力均得到提高的PowiGaN产品。公司目标是利用氮化镓相对于碳化硅根本上的材料优势，以更低的成本和更高的性能将高电流、高电压氮化镓技术商业化，以支持目前由碳化硅（SiC）所涵盖的更高功率的应用。Odyssey团队在高电流垂直氮化镓方面的经验将增强并推进这些工作的进展。”

据悉，半导体器件设计和代工商Odyssey成立于2019年，专注基于专有的氮化镓处理技术开发高压功率开关元件和系统。今年3月，Odyssey同意以952万美元出售其资产，然后解散。

Odyssey拥有一座面积为1万平方英尺的半导体晶圆制造厂，配备了一定比例的1000级和10000级洁净空间以及先进半导体开发和生产工具。该公司一直致力于推出工作在650V和1200V的垂直氮化镓场效应晶体管。

（校对/张杰）