4月29日，斯达半导体股份有限公司（证券简称：斯达半导，证券代码：603290）召开2023年年度股东大会，就《关于公司<2023年度董事会工作报告>的议案》、《关于公司<2023年度监事会工作报告>的议案》、《关于公司2023年年度报告及其摘要的议案》等多项议案进行了审议，爱集微作为其机构股东参与了此次股东大会，并投出赞成票。该公司董秘张哲在会议上介绍了斯达半导2023年的业绩以及2024年的发展规划。
资料显示，斯达半导主营业务是以IGBT和SiC为主的功率半导体芯片和模块的设计研发、生产及销售。公司总部位于浙江嘉兴，在上海、重庆、欧洲设有子公司，并在国内和欧洲均设有研发中心。该公司长期致力于IGBT、快恢复二极管、MOSFET等功率芯片的设计和工艺及IGBT、SiC MOSFET等功率模块的设计、制造和测试，公司的产品广泛应用于工业控制和电源、新能源、新能源汽车、白色家电等领域。
2023年营收同比增长35.39% 车规级IGBT模块持续放量
张哲在会议上介绍：“公司2023年实现营业收入36.629亿元，较2022年同期增长35.39%，实现归属于上市公司股东的净利润9.11亿元，较2022年同期增长11.36%，实现归属于上市公司股东扣除非经常性损益的净利润8.86亿元，较去年同期增长16.25%。”
此外，公司经营活动的现金流是3.82亿元，同比呈下降趋势，基本每股收益是5.33元，同比增长11.24%。
从斯达半导各大业务营收分析来看，该公司主营业务收入在各细分行业均实现稳步增长：其中工业控制和电源行业的营业收入为12.8亿元，较去年同期增长15.64%；新能源行业营业收入为21.56亿元，较去年同期增长48.09%；变频白色家电及其他行业的营业收入为2.03亿元，较去年同期增长69.48%。
张哲表示，2023年，公司生产的应用于主电机控制器的车规级IGBT模块持续放量，合计配套超过200万套新能源汽车主电机控制器。公司在车用空调、充电桩、电子助力转向等新能源汽车半导体器件份额进一步提高。
据了解，2023年，斯达半导基于第七代微沟槽Trench Field Stop技术的750V车规级IGBT模块大批量装车，该公司基于第七代微沟槽Trench Field Stop技术的1200V车规级IGBT模块新增多个800V系统车型的主电机控制器项目定点，将对2024年-2030年斯达半导新能源汽车IGBT模块销售增长提供持续推动力。
另外，张哲指出，2023年，公司海外新能源汽车市场取得重要进展，公司车规级IGBT模块在欧洲一线品牌Tier1开始大批量交付，同时报告期内公司新增多个IGBT/SiC MOSFET主电机控制器项目定点，海外新能源汽车市场呈现快速增长趋势。
除了IGBT外，斯达半导的SiC MOSFET产品也在2023年取得了新进展，据张哲介绍，该公司应用于新能源汽车主控制器的车规级SiC MOSFET模块大批量装车应用，同时新增多个使用车规级SiC MOSFET模块的800V系统主电机控制器项目定点，将对公司2024年-2030年主控制器用车规级SiC MOSFET模块销售增长提供持续推动力。2023年，公司自主的车规级SiC MOSFET芯片在公司多个车用功率模块封装平台通过多家客户整车验证并开始批量出货。
完善功率半导体产业布局 不断丰富自身产品种类
谈及公司2024年的发展规划，张哲表示，公司将完善功率半导体产业布局，在大力推广IGBT模块的同时，依靠自身的专业技术，研发其他前沿功率半导体器件，不断丰富自身产品种类。
具体来看，将从以下七大方面积极推动公司稳定发展：
1.持续发力新能源汽车及燃油汽车半导体器件市场
持续发力新能源汽车及燃油汽车半导体器件市场，在新能源汽车用驱动控制器领域为纯电动汽车、混动汽车、增程式汽车、燃料电池汽车等客户提供全功率段的车规级IGBT模块、车规级SiC MOSFET模块，完善辅助驱动和车用电源市场的产品布局，为客户提供完善的辅助驱动和车用电源市场的产品；在燃油车用汽车电子市场，开发更多的燃油车用车规级功率器件。
2.继续深耕工业控制及电源行业
充分利用公司650V/750V、1200V、1700V自主芯片产品的性能优势、成本优势、交付优势，在变频器、电焊机、电梯控制器、伺服器、电源等领域持续发力，提高现有客户的采购份额，加大海外市场的开拓力度，突破海外头部客户，提高市场占有率。同时，继续坚持以技术为核心，加强和客户技术合作，不断研发出具有市场竞争力的产品。
3.加速开拓新能源市场
在“碳中和”目标和清洁能源转型的双重背景下，公司将抓住光伏发电、风力发电以及储能市场快速发展的历史机遇，把握核心半导体器件国产化加速的市场机会，不断提高市场份额。
4.持续推进变频白色家电市场
不断加强和主流家电厂商的合作，在商用空调和家用空调市场同时推进，根据市场需求推出更多具有竞争力的产品系列。
5.加速公司下一代IGBT芯片的研发和产业化
持续加大芯片研发力度，结合市场需求，进一步丰富基于第七代微沟槽Trench FieldStop技术的IGBT芯片以及和市场需求相匹配的快恢复二极管芯片的产品系列。
6.持续加大宽禁带功率半导体器件的研发力度
持续加大研发投入，开发出更多符合市场需求的车规级SiC功率模块。同时，公司加大SiC功率芯片的研发力度，继续推出符合市场需求的自主的车规级SiC芯片。
7.开展3300V-6500V高压IGBT的研发
利用公司第六代Fieldstop Trench芯片平台及大功率模块生产平台，推出应用于轨道交通和输变电等行业的3300V-6500V高压IGBT产品。
（校对/张杰）
