ASML发货第二台High NA EUV光刻机，已成功印刷10nm线宽图案

集微网消息，半导体制造的设备供应商ASML表示，已将其最新的High NA（高数值孔径）EUV（极紫外）光刻系统交付给第二家客户。

ASML在去年12月至今年1月期间向英特尔发货了一款High NA设备，但没有透露第二家客户的身份。潜在客户可能包括为英伟达和为苹果生产芯片的合同芯片制造商台积电或三星电子。

这些设备每台成本约为3.5亿欧元（约合3.7亿美元），预计将支持新一代更小、更快的芯片。

台积电和三星曾表示，他们计划采用新系统，预计这将促进单个芯片上可封装的晶体管数量大幅增加。

英特尔称，将于2026年至2027年在Intel 14A系列芯片的早期生产中开始使用High NA设备。

第一台High NA设备是在荷兰费尔德霍芬的ASML总部组装的，采用EUV技术的公司可以使用该设备进行测试。ASML表示已收到10至20台该设备的订单。

光刻系统使用光束来帮助创建芯片电路。ASML的第一代EUV系统目前用于制造智能手机和人工智能（AI）芯片中的大多数芯片，它使用“极紫外”波长的光来印刷分辨率低至13nm的线宽图案。

ASML近期发布的帖子和照片表示，High NA设备已成功印刷10nm线宽图案。据ASML网站称，该设备的理论极限分辨率是8nm。

（校对/张杰）