天眼查显示，长鑫存储技术有限公司“半导体结构及其形成方法、存储器”专利公布，申请公布日为2024年3月12日，申请公布号为CN117693185A。
本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法、存储器，本公开的形成方法包括：提供基底，基底包括衬底和绝缘介质层，衬底包括多个沿第一方向间隔分布的第一沟槽，绝缘介质层填充各第一沟槽；对基底进行图案化蚀刻，以形成多个沿第二方向间隔分布的第二沟槽，第二方向与第一方向相交；在各第二沟槽内分别形成字线结构；在相邻的两个字线结构之间形成气隙；对气隙进行封口。本公开的形成方法可减小寄生电容，降低功耗，提高产品稳定性。
