近期中国互联网上出现了依托大型同步辐射光源的EUV“光刻厂”概念，但对于其可行性专家们各执一词。
对于这一问题，有俄罗斯专家指出，为了产生所需功率的EUV辐射，中国需要建造一个直径为100至150m的加速器环，其足以生产工艺标准达到2纳米的芯片，ASML目前正在批量生产先进的EUV光刻机，可用于生产3nm芯片。而要达到2纳米，还必须开发更强大的EUV光源，就复杂性而言，这与中国的EUV“枪”项目相差不远，然而专家也指出，同步加速器只是光刻的替代光源，还需要制造适当的光刻胶、光掩模和特殊光学器件来控制辐射和聚焦光束，这并不比开发辐射光源更简单，这就是为什么中国还需要很多年才能建立可靠的纳米级芯片大规模生产系统。
俄罗斯专家还提到，该国目前也正在依托同步加速器开发X射线光刻技术。
另一位俄罗斯专家Nikolai Chkhalo对光刻技术的发展方向有着更为批判的看法：“美国和日本都曾尝试使用同步加速器进行光刻，对它们进行了投影电路、光学器件的测试，但都没有人有意组织它们进行生产，因为它非常昂贵且不可靠。你可以同时在同步加速器周围放置光刻机台，但它会不断发生一些故障。”
