近日，我院唐曦教授与电气工程与自动化学院胡存刚教授、曹文平教授团队研发了高灵敏度氮化镓测温器件，并以论文“On-Chip Integrated High-Sensitivity Temperature Sensor Based on p-GaN/AlGaN/GaN Heterostructure”发表在电子器件顶级期刊《IEEE Electron Device Letters》。2021级材料科学与工程专业硕士研究生尹玉莲与实验师常杰为本文共同第一作者，安徽大学为第一通讯单位。
（图）高灵敏度氮化镓测温器件及其性能示意图
第三代宽禁带半导体氮化镓（GaN）器件具有高开关频率、高效、耐受高温等优势，在电动汽车、高铁及航空航天等领域具有巨大的应用前景。半导体器件结温难以直接测量，车载/机载的高温工作环境对精准的器件结温检测带来技术挑战。基于目前主流的GaN芯片，本研究首次研发了具有双极性载流子注入功能的测温器件，将GaN温度探测的灵敏度提高到19.7 mV/℃，居世界最高。该项技术适用于芯片结温的高精度测量及过温保护。另外，该项技术在实验环境下完成了模拟车载/机载高温环境安全运行10年的加速老化测试，下一阶段将进入真实运行环境的测试，其产业化应用也正在开展之中。该工作得到了国家自然科学基金、安徽省创新人才项目和安徽大学启动经费的支持。
