东芯股份：PSRAM应用场景主要是智能穿戴类产品，预计今年提供样品

集微网消息（文/杨艳柔）近日，东芯股份在接受机构调研时表示，PSRAM第一颗256Mb的产品已经送给客户在测试中，产品时间流程符合公司预期规划。目前公司开发的PSRAM基于38nm工艺开发，在PSRAM的客户基础上具有一定优势，客户可以用公司的SLCNAND，也可以用今后开发的PSRAM。目前PSRAM应用场景主要还是在智能穿戴类的产品上面使用，预计今年可以提供样品。

东芯股份称，公司研发分为三个团队，分别为NAND、NOR、DRAM团队，目前大部分都在上海，小部分在韩国。公司非常注重研发人才的培养，除去招募一些非常有经验的高级工程师以外，公司也会持续吸纳一些优秀应届生。整体来说，公司建立了比较稳定和成熟的梯队建设方案，持续在研发人员中开展研讨会和培训来帮助公司新进研发人员更快掌握公司产品线和研发进度。

关于基站建设规划市场份额，东芯股份表示，由于国内的5G的布点的密度相对来说比较大，未来的整个市场空间较大。在宏基站这个领域，公司目前的产品主要是在AAU、BBU单板方面使用，所以容量相对来说也较大，同时它对高可靠性和宽温方面的要求也和消费类产品有所区别。

根据调研机构内容显示，东芯股份使用的是ETOX工艺，NOR目前量产的已经有包括65nm的工艺和48nm的工艺。容量从64Mb到512Mb，明年会有堆叠的1GB的产品。512Mb的NOR预计今年下半年开始出样，对于这类中高容量的NOR，主要的市场还是在工业以及服务器等。公司今年已将开始量产48nm的NOR，还是继续向中高容量发展。128Mb、256Mb的NOR还是消费类客户做制程替换。中高容量相对会有溢价，今年会出512Mb的样品，明年会有1Gb的产品，主要使用在工业类产品。

（校对/黄仁贵）