国家第三代半导体技术创新中心（苏州）新动作，8家联合研发中心启动共建

集微网消息，6月25日，国家第三代半导体技术创新中心发展战略研讨会暨第一届技术专家委员会会议在苏州工业园区召开。

图源： 华灿光电

会上，面向关键技术攻关方向，新启动共建8家联合研发中心，包括氮化镓同质外延技术联合研发中心、氮化镓功率微波技术联合研发中心、微显示巨集成技术联合研发中心、硅基氮化镓材料联合研发中心、宽带通信滤波器芯片技术联合研发中心、碳化硅车用大功率MOSFET芯片技术联合研发中心、微显示LED技术联合研发中心、超高分辨率Micro-LED显示技术联合研发中心。

据悉，国家第三代半导体技术创新中心（苏州）于2021年3月获科技部批复支持建设，围绕第三代半导体材料在半导体照明、新型显示、功率电子领域的“双碳”目标，重点解决第三代半导体材料在耐高压、高功率密度、高能效、高宽带频率等特性需求下的材料生长、工艺技术、装备研发等科学问题。

华灿光电消息显示，微显示LED技术联合研发中心由国家第三代半导体技术创新中心与华灿光电共建，将充分发挥华灿光电在第三代半导体技术领域多年的技术积累与创新优势，依托国家第三代半导体技术创新中心国家级战略科技力量和创新平台，构建研发资源整合，重点聚焦第三代半导体材料与器件领域新技术的突破，加速公司技术创新发展。（校对/Vinson）