12月11日，第67届电气电子工程师学会（IEEE）国际电子器件会议（International Electron Devices Meeting, IEDM）在旧金山举办。自旋芯片领域，北航超过IBM，IMEC等研究机构，是入选论文最多的单位。此次IEDM会议上，北航集成电路学院共有三项成果入选：
新型三端磁存储器件。北航集成电路学院赵巍胜教授团队在IEDM上发表了题为“First demonstration of three terminal MRAM devices with immunity to magnetic fields and 10 ns field free switching by electrical manipulation of exchange bias”的研究成果。该工作首次提出并实验演示了一种三端磁存储器件，实现了抗外磁场数据存储和10 纳秒无磁场数据写入，为实现高性能磁存储芯片提供了一条新的技术路径。
自旋轨道矩磁存储器的优化设计。北航集成电路学院赵巍胜及王昭昊团队在IEDM上发表了题为“Computational Study for Spin-orbit Torque Magnetic Random Access Memory”的研究成果。该工作提出了一套串联了多项关键性能指标的计算框架，首次对自旋轨道矩磁随机存储器进行了综合的计算分析，并指出对称性破缺的IrMn反铁磁体系有望成为未来高性能磁随机存储器的关键材料。
基于自旋纳米振荡器的随机计算系统。北航集成电路学院曾琅团队在IEDM上发表了题为“Time Division Multiplexing Ising Computer Using Single Tunable True Random Number Generator Based on Spin Torque Nano-Oscillator”的研究成果。该工作首次提出了一种基于自旋纳米振荡器的真随机数发生器，实现了可调概率输出，并提出了新颖的递推耦合规则，采用单个器件时分复用完成了基于伊辛模型的概率计算。（校对/若冰）
