ST发布高效能功率元件

意法半导体(ST)推出能够降低电信系统、运算系统、太阳能逆变器、工业自动化以及汽车电子等应用对环境影响的新一代高效能功率元件。
意法半导体全新STripFET VII DeepGATE金属氧化物半导体场效电晶体(MOSFET)拥有目前市场销售的80伏特(V)和100伏特功率电晶体中最高的导电效率，同时提高开关效率。此外，新产品有助于简化设计，使用数量更少且封装更小的元件，可减少系统功耗和提高能效目标，从而降低了设备尺寸和成本。

强化的MOSFET闸极结构是意法半导体STripFET VII DeepGATE技术的重要突破，在降低元件通态电阻的同时还降低内部电容和闸极电荷，进一步提高开关速度和效率。新产品的抗雪崩能力优异，使产品在可能损坏元件的恶劣条件中仍可正常工作，因此STripFET VII DeepGATE是汽车电子应用的理想选择。

现可订购的STripFET VII DeepGATE样品或产品超过十五种，包括STP270N8F7 80V元件和一系列100伏特元件，客户可选择TO-220、DPAK、PowerFLAT 5x6和两针脚或六针脚H2PAK封装。

意法半导体网址：www.st.com