2月8日，南芯半导体在微博上发布了关于对小米澎湃 P1 不实传言的说明。
说明指出，小米澎湃P1芯片为小米自研设计、南芯半导体代工（内部代号 SC8561）。这款芯片具备超高压4：1充电架构，实现了 120W 单电芯充电，支持1：1、2：1和4：1的转换模式，所有模式均可双向导通，可实现有线120W、无线50W、无线反充等多种充电功能。
南芯半导体2021年9月发布的南芯SC8571，为超高压4:2充电架构，可实现120W双电芯充电，其针对超大功率充电需求，支持4:2、2:2两种模式。
小米自研的澎湃P1充电芯片与南芯SC8571拓扑结构完全不同，是不同设计、不同功能、不同定位的两颗充电芯片。（校对/GY）
